ナノ構造 (Ga, Ge) カルコゲナイド半導体の光物性

著者

• 大成, 誠之助 オオナリ, セイノスケ

書誌事項

ナノ構造 (Ga, Ge) カルコゲナイド半導体の光物性

大成誠之助研究代表

（科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成16年度）

[大成誠之助], 2005.3

タイトル読み

ナノ コウゾウ Ga Ge カルコゲナイド ハンドウタイ ノ ヒカリ ブッセイ

注記

課題番号: 14540292

研究代表者: 大成誠之助

親書誌の「(2)」は手書き

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA73343522
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: engjpn
• 出版地: [つくば]
• ページ数/冊数: 81, 36p, [28]枚
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30195401