Study on integrated ferroelectric gate field-effect transistor memory with an intermediate electrode

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Study on integrated ferroelectric gate field-effect transistor memory with an intermediate electrode

Bui Nguyen Quoc Trinh

BUI NGUYEN QUOC TRINH, 2007.9

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注記

Thesis (doctoral)--Japan Advanced Institute of Science and Technology, 2007, 博材第219号

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA87079149
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    eng
  • 本文言語コード
    eng
  • 出版地
    [Nomi, Ishikawa]
  • ページ数/冊数
    viii, 134 p.
  • 大きさ
    31 cm
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