GaNの結晶成長の原子レベル研究とデバイス応用

著者

• 櫻井, 利夫 サクライ, トシオ

書誌事項

GaNの結晶成長の原子レベル研究とデバイス応用

研究代表者櫻井利夫

（科学研究費補助金基盤研究(A)(2)展開研究研究成果報告書, 平成11年～12年）

櫻井利夫, 2002.3

タイトル読み

GaN ノ ケッショウ セイチョウ ノ ゲンシ レベル ケンキュウ ト デバイス オウヨウ

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB06366811
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: engjpn
• 出版地: [仙台]
• ページ数/冊数: 62p
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA62447592