シリコン結晶とドーピング

著者

• 阿部, 孝夫 アベ, タカオ
• 小切間, 正彦 オギリマ, マサヒコ
• 谷口, 研二 タニグチ, ケンジ

書誌事項

シリコン結晶とドーピング

阿部孝夫, 小切間正彦, 谷口研二著

（電子材料シリーズ）

丸善, 1986.6

タイトル読み

シリコン ケッショウ ト ドーピング

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• シリコン結晶とドーピング

  1986

  NDLデジタルコレクション

  限定公開

注記

各章末:文献

内容説明・目次

内容説明

半導体プロセス技術の出発点であるシリコン単結晶成長と、同技術の中心となる不純物ドーピングについて、ＶＬＳＩデバイスからの要求にそって、最新の技術を解説。単結晶成長およびドーピングはいずれも古い歴史があるが、ＶＬＳＩのように高集積化すると、従来の技術に変更を加えざるをえない。そこで、本書では結晶・ドーピング技術とデバイスとの関連を明らかにすることに重点を置いて詳述している。

目次

• １　結晶とエピタキシ
• ２　不純物拡散
• ３　イオン注入

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BN00341437
• ISBN:
  • 4621030825
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 230p
• 大きさ: 22cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
  • NDLC : ND371
• 件名:
  • NDLSH : シリコン(半導体)
• 親書誌ID:
  • BN00201165