多田 邦雄 TADA Kunio

ID:1000000010710

金沢工業大学大学院 Graduate School of Eng., Kanazawa Institute of Technology (2010年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  67件中 1-20 を表示

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  • 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討

    輪嶋 孝樹 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)は,透明波長領域において巨大な屈折率変化を低電界・広波長域で得られ,高性能な光機能デバイスへの応用が期待される.これまで,InGaAs/InAlAs FACQWは,InP基板に対し格子整合するIII族組成比を用いて設計を行ってきたが,本研究では,III族組成比を変化させることにより積極的に歪みを導入し,価電子帯構造を変化させることにより …

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 110(181), 71-74, 2010-08-19

    参考文献6件

  • 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討

    輪嶋 孝樹 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)は,透明波長領域において巨大な屈折率変化を低電界・広波長域で得られ,高性能な光機能デバイスへの応用が期待される.これまで,InGaAs/InAlAs FACQWは,InP基板に対し格子整合するIII族組成比を用いて設計を行ってきたが,本研究では,III族組成比を変化させることにより積極的に歪みを導入し,価電子帯構造を変化させることにより …

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 110(180), 71-74, 2010-08-19

    参考文献6件

  • 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討

    輪嶋 孝樹 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)は,透明波長領域において巨大な屈折率変化を低電界・広波長域で得られ,高性能な光機能デバイスへの応用が期待される.これまで,InGaAs/InAlAs FACQWは,InP基板に対し格子整合するIII族組成比を用いて設計を行ってきたが,本研究では,III族組成比を変化させることにより積極的に歪みを導入し,価電子帯構造を変化させることにより …

    電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 110(178), 71-74, 2010-08-19

    参考文献6件

  • 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討

    輪嶋 孝樹 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)は,透明波長領域において巨大な屈折率変化を低電界・広波長域で得られ,高性能な光機能デバイスへの応用が期待される.これまで,InGaAs/InAlAs FACQWは,InP基板に対し格子整合するIII族組成比を用いて設計を行ってきたが,本研究では,III族組成比を変化させることにより積極的に歪みを導入し,価電子帯構造を変化させることにより …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 110(179), 71-74, 2010-08-19

    参考文献6件

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善

    牛込 基 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を分子線エピタキシー法及びウェットプロセスで作製し,1.55μm,TEモードにおいて低電圧変調動作(V_π・L=1.2Vmm)を確認した.変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特殊な量子閉じ込めシュタルク効果であると考えられる.また …

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 109(176), 1-6, 2009-08-13

    参考文献6件

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善

    牛込 基 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を分子線エピタキシー法及びウェットプロセスで作製し,1.55μm,TEモードにおいて低電圧変調動作(V_π・L=1.2Vmm)を確認した.変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特殊な量子閉じ込めシュタルク効果であると考えられる.また …

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 109(175), 1-6, 2009-08-13

    参考文献6件

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善

    牛込 基 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を分子線エピタキシー法及びウェットプロセスで作製し,1.55μm,TEモードにおいて低電圧変調動作(V_π・L=1.2Vmm)を確認した.変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特殊な量子閉じ込めシュタルク効果であると考えられる.また …

    電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 109(173), 1-6, 2009-08-13

    参考文献6件

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善

    牛込 基 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を分子線エピタキシー法及びウェットプロセスで作製し,1.55μm,TEモードにおいて低電圧変調動作(V_π・L=1.2Vmm)を確認した.変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特殊な量子閉じ込めシュタルク効果であると考えられる.また …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(174), 1-6, 2009-08-13

    参考文献6件

  • 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討

    井芹 有志 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄 [他] , 羽路 伸夫

    InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(Five-Layer Asymmeric Coupled Quantum Well)の作製トレランスに関して,量子井戸のヘテロ界面の急峻性劣化がFACQWの電界誘起屈折率変化特性に与える影響について理論的な検討を行った.ヘテロ界面の急峻性劣化について解析する手法として,ヘテロ界面における組成分布の形状を指数関数と仮定し,その組成勾配の遷移幅を増加さ …

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 109(92), 1-6, 2009-06-12

    参考文献9件

  • 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討

    井芹 有志 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄 [他] , 羽路 伸夫

    InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(Five-Layer Asymmeric Coupled Quantum Well)の作製トレランスに関して,量子井戸のヘテロ界面の急峻性劣化がFACQWの電界誘起屈折率変化特性に与える影響について理論的な検討を行った.ヘテロ界面の急峻性劣化について解析する手法として,ヘテロ界面における組成分布の形状を指数関数と仮定し,その組成勾配の遷移幅を増加さ …

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 109(93), 1-6, 2009-06-12

    参考文献9件

  • 非対称三重結合量子井戸における電気光学効果

    江間 研自 , 遠藤 航 , 荒川 太郎 [他] , 多田 邦雄

    低電界印加で大きな電界誘起屈折率変化が得られると予想される非対称三重結合量子井戸(ATCQW)を提案し,その電界誘起屈折率変化特性について議論する.ATCQWはこれまで報告してきた五層非対称結合量子井戸(FACQW)と似た構造を有するが,電界誘起屈折率変化はFACQWのそれよりも更に大きくなる可能性があり,超高速・低電圧動作型光変調器・光スイッチ等への応用が期待できる.本稿では,0.9μm帯用とし …

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 109(49), 27-32, 2009-05-15

    参考文献7件

  • C-4-20 InGaAs/InAIAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー型光変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    福岡 正恭 , 牛込 基 , 針木 武大 , 戸谷 貴宏 , 荒川 太郎 , 國分 泰雄 , 多田 邦雄

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2009年_エレクトロニクス(1), 268, 2009-03-04

  • C-3-59 GaAs/AlGaAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)光位相変調器の評価(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)

    松本 浩之 , 遠藤 航 , 有馬 健宏 , 伊藤 宏和 , 荒川 太郎 , 多田 邦雄

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2007年_エレクトロニクス(1), 182, 2007-08-29

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用

    戸谷 貴宏 , 山口 幸一郎 , 内村 貴弘 [他] , 荒川 太郎 , 盧 柱亨 , 多田 邦雄

    1.55μm帯用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)における電界屈折率効果およびマッハ・ツェンダー(MZ)光変調器・光スイッチへの適用について検討を行った。電界屈折率効果にっいては,価電子帯構造の非放物線性も考慮した詳細な解析を行うとともに,実際のpin構造のi層が薄い場合の内蔵電界を考慮し、最大の屈折率電界係数|dn/dF|が得られる電界強度を実際の動作電界領域である- …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 107(197), 77-82, 2007-08-23

    参考文献11件

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用

    戸谷 貴宏 , 山口 幸一郎 , 内村 貴弘 [他] , 荒川 太郎 , 盧 柱亨 , 多田 邦雄

    1.55μm帯用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)における電界屈折率効果およびマッハ・ツェンダー(MZ)光変調器・光スイッチへの適用について検討を行った。電界屈折率効果については,価電子帯構造の非放物線性も考慮した詳細な解析を行うとともに,実際のpin構造のi層が薄い場合の内蔵電界を考慮し、最大の屈折率電界係数|dn/dF|が得られる電界強度を実際の動作電界領域である- …

    電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 107(196), 77-82, 2007-08-16

    参考文献11件

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用

    戸谷 貴宏 , 山口 幸一郎 , 内村 貴弘 [他] , 荒川 太郎 , 盧柱 亨 , 多田 邦雄

    1.55μm帯用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)における電界屈折率効果およびマッハ・ツェンダー(MZ)光変調器・光スイッチへの適用について検討を行った。電界屈折率効果については,価電子帯構造の非放物線性も考慮した詳細な解析を行うとともに,実際のpin構造のi層が薄い場合の内蔵電界を考慮し、最大の屈折率電界係数|dn/dF|が得られる電界強度を実際の動作電界領域である- …

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 107(198), 77-82, 2007-08-16

    参考文献11件

  • InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用

    戸谷 貴宏 , 山口 幸一郎 , 内村 貴弘 [他] , 荒川 太郎 , 盧柱 亨 , 多田 邦雄

    1.55μm帯用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)における電界屈折率効果およびマッハ・ツェンダー(MZ)光変調器・光スイッチへの適用について検討を行った。電界屈折率効果については,価電子帯構造の非放物線性も考慮した詳細な解析を行うとともに,実際のpin構造のi層が薄い場合の内蔵電界を考慮し、最大の屈折率電界係数|dn/dF|が得られる電界強度を実際の動作電界領域である- …

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 107(199), 77-82, 2007-08-16

    参考文献11件

  • 「応用物理」創刊75周年を記念して

    多田 邦雄

    應用物理 76(8), 849, 2007-08-10

  • Electroabsorptive Properties of InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)

    ARAKAWA Taro , TAKIMOTO Kazuhiro , MIYAZAKI Shiro , YAMAGUCHI Koichiro , HANEJI Nobuo , NOH Joo-Hyong , TADA Kunio

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006, 682-683, 2006-09-13

    参考文献4件

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