福家 俊郎 Fuke S.

ID:1000000022236

静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University (2010年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  66件中 1-20 を表示

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  • MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    高野 泰 , 山田 洋毅 , 見崎 龍 [他] , 高木 達也 , 福家 俊郎

    有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。 4゜オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期の表面モホロジーを原子間力顕微鏡で調べた。770℃以上で多数の結晶核が発生し、早期に島状成長から層状成長に遷移した。アンチフェイズドメイン(APD)はすべての試料に存在した。表面荒れの主因はAPDの存在であった。APDの割合は成長条件に依存した。800-830℃の成長で、成長と …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(31), 75-79, 2010-05-06

    参考文献14件

  • MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    高野 泰 , 山田 洋毅 , 見崎 龍 [他] , 高木 達也 , 福家 俊郎

    有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期の表面モホロジーを原子間力顕微鏡で調べた。770℃以上で多数の結晶核が発生し、早期に島状成長から層状成長に遷移した。アンチフェイズドメイン(APD)はすべての試料に存在した。表面荒れの主因はAPDの存在であった。APDの割合は成長条件に依存した。800-830℃の成長で、成長と共 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 110(29), 75-79, 2010-05-06

    参考文献14件

  • MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    高野 泰 , 山田 洋毅 , 見崎 龍 [他] , 高木 達也 , 福家 俊郎

    有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期の表面モホロジーを原子間力顕微鏡で調べた。770℃以上で多数の結晶核が発生し、早期に島状成長から層状成長に遷移した。アンチフェイズドメイン(APD)はすべての試料に存在した。表面荒れの主因はAPDの存在であった。APDの割合は成長条件に依存した。800-830℃の成長で、成長と共 …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 110(30), 75-79, 2010-05-06

    参考文献14件

  • MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    高木 達也 , 岡本 拓也 , 福家 俊郎 [他] , 高野 泰

    有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなかったが、高いPH_3流量を持った830℃で鏡面が得られた。またクロスハッチパターン(CHP)は830℃での膜厚200nmの成長によって得られた。CHPはGaP層の質が高いことを示す。断面TEMにより5nmと40nm厚さのGaP層に積層欠陥と転位が存在しないことを明らかにした。

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(23), 59-64, 2009-05-07

    参考文献7件

  • MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    高木 達也 , 岡本 拓也 , 福家 俊郎 [他] , 高野 泰

    有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなかったが、高いPH_3流量を持った830℃で鏡面が得られた。またクロスハッチパターン(CHP)は830℃での膜厚200nmの成長によって得られた。CHPはGaP層の質が高いことを示す。断面TEMにより5nmと40nm厚さのGaP層に積層欠陥と転位が存在しないことを明らかにした。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(25), 59-64, 2009-05-07

    参考文献7件

  • MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    高木 達也 , 岡本 拓也 , 福家 俊郎 [他] , 高野 泰

    有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなかったが、高いPH_3流量を持った830℃で鏡面が得られた。またクロスハッチパターン(CHP)は830℃での膜厚200nmの成長によって得られた。CHPはGaP層の質が高いことを示す。断面TEMにより5nmと40nm厚さのGaP層に積層欠陥と転位が存在しないことを明らかにした。

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(24), 59-64, 2009-05-07

    参考文献7件

  • 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(<小特集>Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)

    角谷 正友 , 福家 俊郎

    サファイア基板上の低温バッファ層が,基板表面状態,V/III比や膜厚,アニール時のガス雰囲気などの条件に対して,どのように変化するのかを系統的に検討してきた.バッファ層の変化については定性的な議論であるが,極性構造という視点から考えると,低温バッファ層の新しい意義を見出すことができた.それは,GaN薄膜の成長方位(極性)をN面からGa面極性に転換させる機能である.サファイア基板の高温水素処理後に5 …

    日本結晶成長学会誌 32(2), 66-73, 2005-06-30

    参考文献19件

  • GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

    岩瀬 隆幸 , 福家 俊郎 , 高野 泰

    減圧MOCVD装置を用いて,パターン化したSiO2膜を付けた(100)GaAs基板上にGaAs層を横方向成長させた。横方向成長に用いるための基板パターン化はフォトリソグラフィーにより行った。[110]に平行なストライプ方向よりも、[110]から[1-10]へ約20°傾けたストライプ方向の方が横方向成長量は増加した。AsH_3流量を減らす事により,縦方向への成長量が減少し、横方向への成長量が増加した …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(43), 33-37, 2004-05-06

    参考文献4件

  • MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

    梅澤 昌義 , 小林 佳津 , 高野 泰 [他] , 福家 俊郎

    MOCVD法を用いてGaAs基板上にIn_<0.5>Ga_<0.5>As層の低温成長を行った。成長温度は通常600℃付近で行われるが,本研究ではそれより低温の430℃、400℃、370℃で行った。その結果、400℃で成長させた時10^6[/cm^2]オーダーの低い貫通転位密度が得られた.さらに成長温度400℃で高In組成InGaAs,InAs成長を行った。その結果、鏡面が得 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(43), 1-4, 2004-05-06

    参考文献4件

  • GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

    岩瀬 隆幸 , 福家 俊郎 , 高野 泰

    減圧MOCVD装置を用いて,パターン化したSiO2膜を付けた(100)GaAs基板上にGaAs層を横方向成長させた。横方向成長に用いるための基板パターン化はフォトリソグラフィーにより行った。[110]に平行なストライプ方向よりも、[110]から[1-10]へ約20°傾けたストライプ方向の方が横方向成長量は増加した。AsH_3流量を減らす事により,縦方向への成長量が減少し、横方向への成長量が増加した …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104(39), 33-37, 2004-05-06

    参考文献4件

  • MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

    梅澤 昌義 , 小林 佳津 , 高野 泰 [他] , 福家 俊郎

    MOCVD法を用いてGaAs基板上にIn_<0.5>Ga_<0.5>As層の低温成長を行った。成長温度は通常600℃付近で行われるが,本研究ではそれより低温の430℃、400℃、370℃で行った。その結果、400℃で成長させた時10^6[/cm^2]オーダーの低い貫通転位密度が得られた.さらに成長温度400℃で高In組成InGaAs,InAs成長を行った。その結果、鏡面が得 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104(39), 1-4, 2004-05-06

    参考文献4件

  • GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

    岩瀬 隆幸 , 福家 俊郎 , 高野 泰

    減圧MOCVD装置を用いて,パターン化したSiO2膜を付けた(100)GaAs基板上にGaAs層を横方向成長させた。横方向成長に用いるための基板パターン化はフォトリソグラフィーにより行った。[110]に平行なストライプ方向よりも、[110]から[1-10]へ約20°傾けたストライプ方向の方が横方向成長量は増加した。AsH_3流量を減らす事により,縦方向への成長量が減少し、横方向への成長量が増加した …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 104(41), 33-37, 2004-05-06

    参考文献4件

  • MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

    梅澤 昌義 , 小林 佳津 , 高野 泰 [他] , 福家 俊郎

    MOCVD法を用いてGaAs基板上にIn_<0.5>Ga_<0.5>As層の低温成長を行った。成長温度は通常600℃付近で行われるが,本研究ではそれより低温の430℃、400℃、370℃で行った。その結果、400℃で成長させた時10^6[/cm^2]オーダーの低い貫通転位密度が得られた.さらに成長温度400℃で高In組成InGaAs,InAs成長を行った。その結果、鏡面が得 …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 104(41), 1-4, 2004-05-06

    参考文献4件

  • MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

    岩堀 英哲 , 小林 佳津 , 黒柳 直人 [他] , 桑原 憲弘 , 福家 俊郎 , 高野 泰

    減圧MOCVD法によりグレーデッドバッファー層を用いて、GaAs基板上に高In組成0.57のInGaAs層を成長させた。基板はjustGaAs(100)基板、<111>A、又は、<111>BにオフしたGaAs(100)基板である。成長温度を450℃と低温にすることで、全ての上記基板上で鏡面の表面モフォロジーが得られた。断面TEM観察により、<111>Aにオフした …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102(81), 13-18, 2002-05-17

    参考文献2件

  • MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

    岩堀 英哲 , 小林 佳津 , 黒柳 直人 [他] , 桑原 憲弘 , 福家 俊郎 , 高野 泰

    減圧MOCVD法によりグレーデッドバッファー層を用いて、GaAs基板上に高In組成0.57のInGaAs層を成長させた。基板はjustGaAs(100)基板、<111>A、又は、<111>BにオフしたGaAs(100)基板である。成長温度を450℃と低温にすることで、全ての上記基板上で鏡面の表面モフォロジーが得られた。断面TEM観察により、<111>Aにオフした …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102(77), 13-18, 2002-05-17

    参考文献2件

  • MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

    岩堀 英哲 , 小林 佳津 , 黒柳 直人 [他] , 桑原 憲弘 , 福家 俊郎 , 高野 泰

    減圧MOCVD法によりグレーデッドバッファー層を用いて、GaAs基板上に高In組成0.57のInGaAs層を成長させた。基板はjust GaAs(100)基板、<111>A、又は、<111>BにオフしたGaAs(100)基板である。成長温度を450℃と低温にすることで、全ての上記基板上で鏡面の表面モフォロジーが得られた。断面TEM観察により、<111>Aにオフし …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 102(79), 13-18, 2002-05-17

    参考文献2件

  • MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

    奥野 浩司 , 大塚 康二 , 桑原 憲弘 [他] , 角谷 正友 , 高野 泰 , 福家 俊郎

    MOCVD法により、低温堆積させたAl薄膜を高温で窒化することにより形成したAlNバッファ層を利用して、(0001)面および(11-20)面サファイア基板上に(10-10)面GaNを成長させる事が出来た。(11-20)面サファイア基板の場合には、基板と成長層の[0001]方位が一致した。しかし、純粋な(10-10)GaN成長層が得られる条件は狭く、510℃における厚さ約20nmのAl層堆積、10分 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102(80), 45-50, 2002-05-16

    参考文献9件

  • MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

    奥野 浩司 , 大塚 康二 , 桑原 憲弘 [他] , 角谷 正友 , 高野 泰 , 福家 俊郎

    MOCVD法により、低温堆積させたAl薄膜を高温で窒化することにより形成したAlNバッファ層を利用して、(0001)面および(11-20)面サファイア基板上に(10-10)面GaNを成長させる事が出来た。(11-20)面サファイア基板の場合には、基板と成長層の[0001]方位が一致した。しかし、純粋な(10-10)GaN成長層が得られる条件は狭く、510℃における厚さ約20nmのAl層堆積、10分 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102(76), 45-50, 2002-05-16

    参考文献9件

  • MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

    奥野 浩司 , 大塚 康二 , 桑原 憲弘 [他] , 角谷 正友 , 高野 泰 , 福家 俊郎

    MOCVD法により、低温堆積させたAl薄膜を高温で窒化することにより形成したAlNバッファ層を利用して、(0001)面および(11-20)面サファイア基板上に(10-10)面GaNを成長させる事が出来た。(11-20)面サファイア基板の場合には、基板と成長層の[0001]方位が一致した。しかし、純粋な(10-10)GaN成長層が得られる条件は狭く、510℃における厚さ約20nmのAl層堆積、10分 …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 102(78), 45-50, 2002-05-16

    参考文献9件

  • MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響

    四田 泰代 , 角谷 正友 , 大塚 康二 [他] , 桑原 憲弘 , 高野 泰 , 福家 俊郎

    MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長において一般に低温バッファ層が用いられているが、本研究ではバッファ層のアニール時間がバッファ層自体の特性、及びその上に成長させた高温GaN成長層の結晶性などへ影響について成長結晶の極性を考慮しながら調べた。初期窒化したサファイア基板上(N面成長)では、バッファ層は凝集再配列せず、再蒸発速度も速い。そのために、GaN成長層の結晶性のバッファ層アニール時間依 …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 101(395), 49-54, 2001-10-19

    参考文献12件

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