森崎 弘 MORISAKI Hiroshi

ID:1000000029167

電気通信大学 University of Electro-Communications (2006年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  18件中 1-18 を表示

  • InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響

    黒川 愛里 , 金 智 , 小野 洋 [他] , 内田 和男 , 野崎 眞次 , 森崎

    エミッタサイズの異なるInGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBTs)をウェットエッチングプロセスのみで作製し、電気的特性に与える表面再結合の影響を調査した。比較のために、エミッタ端からベースへ横方向に拡散する電子の再結合の抑制を狙い、露出した外部ベース表面に硫黄パッシベーション及びInGaP層を用いたレッジパッシベーションを行った。その結果、InGaPレッジパッシベーションを行っ …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105(520), 33-38, 2006-01-11

    参考文献12件

  • InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

    黒川 愛里 , 金 智 , 小野 洋 [他] , 内田 和男 , 野崎 眞次 , 森崎

    エミッタサイズの異なるInGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBTs)をウェットエッチングプロセスのみで作製し、電気的特性に与える表面再結合の影響を調査した。比較のために、エミッタ端からベースへ横方向に拡散する電子の再結合の抑制を狙い、露出した外部ベース表面に硫黄パッシベーション及びInGaP層を用いたレッジパッシベーションを行った。その結果、InGaPレッジパッシベーションを行っ …

    電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 105(523), 33-38, 2006-01-11

    参考文献12件

  • バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si_3N_4薄膜の作製と評価

    横山 彩 , 野崎 眞次 , 内田 和男 , 小野 洋 , 森崎

    電気学会研究会資料. DEI, 誘電・絶縁材料研究会 2005(90), 31-36, 2005-10-24

    参考文献2件

  • C-10-5 階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)

    中島 誠幸 , 内田 和男 , 野崎 眞次 , 森崎

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2005年_エレクトロニクス(2), 50, 2005-03-07

  • PC-1-5 大学におけるマイクロ波半導体回路教育 : プロセス・デバイス・回路・システム統合化の視点からのアプローチ

    本城 和彦 , 内田 和男 , 野崎 眞次 , 森崎 , 中嶋 信生

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2002年_エレクトロニクス(1), 346, 2002-08-20

  • Si超微粒子を用いたELデバイスからの発光特性の改善

    佐藤 慶介 , 岩瀬 満雄 , 和泉 富雄 [他] , 庄 善之 , 森崎

    Electroluminescent device (ELD) using nanocrystalline silicon (nc-Si) was fabricated by annealing of co-sputtering of Si and silicon dioxide (SiO<SUB>2</SUB>) targets and subsequently hydr …

    電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society 122(6), 616-623, 2002-06-01

    J-STAGE 参考文献38件 被引用文献3件

  • KC-1-3 電気通信大学における起実家精神涵養への取組について

    森崎

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2001年.エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集(2), 171-172, 2001-08-29

  • KC-1-3 電気通信大学における起業家精神涵養への取組について

    森崎

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2001年.エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集(1), 297-298, 2001-08-29

  • ナノクリスタルSiの形成とESR・発光評価

    和泉 富雄 , 佐藤 慶介 , 岩瀬 満雄 [他] , 森崎

    應用物理 70(7), 852-856, 2001-07-10

    参考文献24件 被引用文献4件

  • SiO_2膜中のSiナノ結晶成長の高分解能その場観察

    上野 武夫 , 矢口 紀恵 , 小林 幸 , 森崎 , 野崎 真次 , 和泉 富雄 , 岩瀬 満雄

    電子顕微鏡 34, 109, 1999-05-01

    参考文献3件

  • SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価

    剱持 大介 , 佐藤 井一 , 小野 洋 , 野崎 眞次 , 森崎

    SiドープSiO_2薄膜を用いて作製したファブリ・ペロー型光共振器の光学的評価を行った。このデバイスは金属反射鏡(Au薄膜)、活性層(SiドープSiO_2薄膜)、多層膜反射鏡で構成されている。多層膜反射鏡はSiとSiO_2をRFスパッタ法で同時スパッタする際に、RFパワーの切り替えのみによって作製した。この多層膜反射鏡の屈折率差は、各層のSiOx(0≦x≦2)に関する組成差によるものであることが分 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97(23), 69-74, 1997-04-24

    参考文献2件

  • SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価

    劔持 大介 , 佐藤 井一 , 小野 洋 , 野崎 眞次 , 森崎

    SiドープSiO_2薄膜を用いて作製したファブリ・ペロー型光共振器の光学的評価を行った。このデバイスは金属反射鏡(Au薄膜)、活性層(SiドープSiO_2薄膜)、多層膜反射鏡で構成されている。多層膜反射鏡はSiとSiO_2をRFスパッタ法で同時スパッタする際に、RFパワーの切り替えのみによって作製した。この多層膜反射鏡の屈折率差は、各層のSiOx(0≦x≦2)に関する組成差によるものであることが分 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 97(22), 69-74, 1997-04-24

    参考文献2件

  • クラスタービーム法で作製したテトラゴナルGe超微粒子の光物性

    野崎 真次 , 佐藤 井一 , 森崎

    Geナノ構造をクラスタービーム蒸着法により室温及び液体窒素温度の基板に堆積させた。堆積されたGe薄膜の結晶構造はバルクGeに見られるダイヤモンド構造ではなくテトラゴナル構造であった。そのようなGeの結晶構造の相転移は理論的にはGeの粒子径が4nm 以下になると観察されると予想されるが、透過型電子顕微鏡(TEM)観察により得られたサイズと一致することが確認された。さらに液体窒素温度で堆積したGe薄膜 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 96(18), 15-20, 1996-04-25

    参考文献6件

  • IV族半導体超微粒子の構造と発光

    森崎 , 野崎 真次

    真空 38(11), 935-942, 1995-11-20

    J-STAGE 参考文献57件

  • スッパタ法によるSi添加SiO_2薄膜の可視光発光

    野間 重雄 , 中村 仁 , 小野 洋 , 野崎 真次 , 森崎

    RF同時スパッタ法によりSi添加SiO_2薄膜を作製し、熱処理を行うことにより可視領域発光に成功した。熱処理後の試料にナノメーターサイズのSi微粒子が観測されたことから発光はSi微粒子によるものと考えられる。また、熱処理が発光波長に及ぼす影響を調べるため熱処理条件を変化させフォトルミネッセンス(PL)スペクトルを測定したところ、熱処理温度が高くなるにつれPLピーク波長がレッドシフトした。PLピーク …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 93(369), 9-14, 1993-12-10

  • シリコン微粒子の可視領域発光

    森崎

    セラミックス 27(6), 521-526, 1992-06-01

    参考文献12件

  • イオンビームアシスト蒸着法によるSiN_x膜の製作

    岩瀬 満雄 [他] , 小林 博 , 正木 進 , 森崎

    Optimum ion-irradiation conditions for reactive ion-beam-assisted film deposition have been investigated. Nitrogen ions have been irradiated during Si evaporation to form silicon nitrides. The best ir …

    東海大学紀要. 工学部 31(1), 23-30, 1991

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  • 非晶質炭素薄膜の電気伝導

    岩瀬 満雄 , 森崎 , 矢沢 一彦

    電気学会論文誌 A 基礎・材料・共通部門誌 96(7), p325-332, 1976-07

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