森田 慎三 MORITA Shinzo

ID:1000000076548

名古屋大学工学部 Nagoya University (2003年 CiNii収録論文より)

同姓同名の著者を検索

論文一覧:  11件中 1-11 を表示

  • SC-10-1 C-S-Au 膜 2D フォトニック結晶

    平野 幸典 , Abul Kashem , 松下 雅樹 , 山崎 周郎 , 森田 慎三

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2003年_エレクトロニクス(2), "S-40"-"S-41", 2003-03-03

  • 2Dフォトニック結晶を用いた光導波路

    平野 幸典 , Kashem Md. Abul , 松下 雅樹 [他] , 森田 慎三

    1987年にE.YablonovitchやS.Johnらによって提唱されたフォトニック結晶は,内部に周期的な屈折率分布を有する光学材料であり,様々な光学デバイスへの応用が期待されている。我々は,2次元フォトニック結晶を作製し,有機EL素子と結合した光源の開発を目指している。フォトニック結晶を作製するにあたっては,酸素プラズマでの加工が容易な炭素系材料C-S-Au(炭素-硫黄-金)膜を用いた。C-S …

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 102(592), 39-42, 2003-01-17

    参考文献9件

  • MPF光導波路の作成

    山崎 周郎 , 森田 慎三

    薄膜光導波路の曲線部の曲率半径を小さくするためには,透明微小球配列が有効であることを確認した.本研究では,リソグラフィ加工した円柱配列によって微小球と同等の光回路の製作を試みた.ネサガラス基板上に,ネガレジスト特性を有するポリスチレンをスピンコート法で厚さ約3μmの膜を作成し,直径5μmと10μmの円柱配列を描画し,現像して,製作した.この円柱直線配列のレーザ光(波長670nm)の伝送損失は0.3 …

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 102(592), 33-36, 2003-01-17

    参考文献16件

  • C-13-2 C-S-Au膜二次元フォトニック結晶の作成

    平野 幸典 , 後藤 信二 , 松下 雅樹 , 森田 慎三

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2002年_エレクトロニクス(2), 140, 2002-03-07

  • Ar・CH_4・SF_6混合ガスプラズマCVDによる炭素・硫黄混合膜作成

    松下 雅樹 , カッシェム Md. アブール , 森田 慎三

    プラズマCVD(PCVD)法により、炭素・硫黄混合膜を作成した。平行平板電極を有する反応槽を用い、放電周波数13.56MHzでアリゴン(Ar)・メタン(CH_4)・六フッ化硫黄(SF_6)の混合ガスを放電し、下部電極上の基板上に炭素・硫黄混合膜を堆積させた。混合膜の原子組成比は混合ガス比に依存し、特定の混合比でフッ素を含まない硫黄含有率が30%を越える混合膜が合成された。

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 99(580), 51-56, 2000-01-21

    参考文献6件

  • 脂肪酸LB膜レジストを用いたsub 100nmリソグラフィ

    小川 慎司 , Phatak Girishi J. , 森田 慎三

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1998年.エレクトロニクス(2), 159, 1998-09-07

  • ポリイミド隔膜透過電子線励起ICPによる100nm超微細加工

    山田 智也 , 小川 慎司 , 稲浪 良市 , 森田 慎三

    隔膜により分離された反応槽中に, 隔膜を通して注入した透過電子線によりガス分子を励起してブラズマを生成する, 隔膜透過電子線励起プラズマプロセス装置を開発してきた. 隔膜材料にポリイミドを用いることにより, 透過電子線を3mAまで増加することができたが, 電子線励起のみでは放電は起こらなかった. そこで, 誘導結合プラズマ(ICP)上重畳することでプラズマを生成し, 100nmレベルの超微細構造を …

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 96(502), 7-10, 1997-01-28

    参考文献5件

  • 電子線透過膜用ポリイミド超薄膜の作製

    山田 智也 , 稲浪 良市 , 森田 慎三

    電子線源と反応槽とを有機隔膜によって分離した電子線励起プラズマプロセス装置を作製してきた。これは、反応槽中のガス分子を励起するための電子線を隔膜で隔てられた電子線源から打ち込む方式のものである。これまで隔膜としては、厚さ1.5μmのポリエステル薄膜を使用してきたが、ポリエステル薄膜は融点が低いことと電子線照射によって分解されやすい構造を有しているこから、電子線励起プラズマを生成するのに必要な量の電 …

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996年.エレクトロニクス(2), 245, 1996-03-11

  • 垂直照射SR光励起によるSiウェーハのCF_4プラズマエッチング

    稲浪 良市 , 内田 稔人 , 森田 慎三

    電気学会研究会資料. EP, プラズマ研究会 1995(107), 89-95, 1995-11-27

    参考文献12件

  • 高分子隔膜透過電子線励起プラズマによるサブミクロンエッチング加工

    邵 春林 , 稲浪 良市 , 森田 慎三

    高分子薄膜を隔膜として有する電子線励起プラズマ(EBEP)プロセス装置を作製した。これは,反応槽と電子銃とを厚さ1.5μmのポリエステル薄膜で分離した装置である。電子銃のタングステンフィラメントから放出された熱電子は加速され,隔膜を通過して,反応槽内に侵入する。反応槽内の電子温度は,プローブ測定により10〜14eVであると見積もられた。スチレン蒸気0.2Torrを反応槽内に導入し,重合膜を堆積させ …

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 93(406), 1-6, 1994-01-13

  • 電子線励起プロセスに関する国際ワークショップ報告

    森田 慎三

    プラズマ・核融合学会誌 69(3), 261-262, 1993-03-25

ページトップへ