早川 泰弘 Hayakawa Yasuhiro

論文一覧:  244件中 1-20 を表示

  • ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性 (シリコン材料・デバイス)

    池田 浩也 , オンプラカシュ ムスサミ , 早川 泰弘

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(470), 19-22, 2016-03-03

  • ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性 (電子デバイス)

    池田 浩也 , オンプラカシュ ムスサミ , 早川 泰弘

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(469), 19-22, 2016-03-03

  • 高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数 (シリコン材料・デバイス)

    池田 浩也 , マニムス ベラッパン , オンプラカシュ ムスサミ [他] , 鈴木 悠平 , サレ ファイズ , アリバナンドハン ムカンナン , 鎌倉 良成 , 早川 泰弘

    我々は,熱電発電デバイスの高効率化やサーモパイル型赤外線センサの高感度化を目指して,熱電変換材料の特性向上の研究を行なってきた.特性向上の方法として,SiGeナノ構造の導入によるゼーベック係数の増加と熱伝導率の低減に注目している.本稿では,SOI(Si on insulator)層,GOI(Ge on insulator)層およびSiGe混晶材料のゼーベック係数の測定を行い,キャリア輸送およびフォ …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(443), 7-11, 2015-02-05

  • 高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数 (電子デバイス)

    池田 浩也 , マニムス ベラッパン , オンプラカシュ ムスサミ [他] , 鈴木 悠平 , サレ ファイズ , アリバナンドハン ムカンナン , 鎌倉 良成 , 早川 泰弘

    我々は,熱電発電デバイスの高効率化やサーモパイル型赤外線センサの高感度化を目指して,熱電変換材料の特性向上の研究を行なってきた.特性向上の方法として,SiGeナノ構造の導入によるゼーベック係数の増加と熱伝導率の低減に注目している.本稿では,SOI(Si on insulator)層,GOI(Ge on insulator)層およびSiGe混晶材料のゼーベック係数の測定を行い,キャリア輸送およびフォ …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(442), 7-11, 2015-02-05

  • 国際宇宙ステーションでの結晶成長実験に関する溶融In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Sbの粘度測定

    阪田 薫穂 , 向井 碧 , Rajesh Govindasamy , Arivanandan Mukannan , 稲富 裕光 , 石川 毅彦 , 早川 泰弘

    本研究では,混晶半導体であるIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Sb (x =0, 0.2, 0.4, 1.0) 融液の粘度を回転振動法により測定した.粘度は結晶成長の数値計算に必須のパラメータの1つであり,数値計算の精度向上には粘度の組成依存性が必要となる.測定の結果,In<sub>x</sub>Ga …

    熱物性 27(4), 152-163, 2015

    J-STAGE DOI

  • 国際宇宙ステーションでの結晶成長実験に関する溶融In_xGa_<1-x>Sbの粘度測定

    阪田 薫穂 , 向井 碧 , Rajesh Govindasamy [他] , ARIVANANDAN Mukannan , 稲富 裕光 , 石川 毅彦 , 早川 泰弘

    熱物性 : Japan journal of thermophysical properties 27(4), 152-156, 2013-11-30

    参考文献9件

  • 微小重力環境下における混晶半導体バルク結晶成長

    早川 泰弘 , ARIVANANDHAN Mukannan , 岡野 泰則 [他] , 小澤 哲夫 , 稲富 裕光

    The review reported the microgravity experiments performed using space shuttle, drop tower and Chinese recovery satellite. In addition, the experimental plan for microgravity experiment in the Interna …

    表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 33(12), 687-693, 2012-12-10

    J-STAGE DOI 参考文献36件

  • Effects of solutal convection on the dissolution of GaSb into InSb melt and solute transport mechanism in InGaSb solution: Numerical simulations and in-situ observation experiments

    Rajesh G. , Mukannan Arivanandhan , Suzuki N. , Tanaka Akira , Morii H. , Aoki T. , Koyama Tadanobu , Momose Y. , Ozawa T. , Inatomi Y. , Takagi Y. , Okano Y. , Hayakawa Yasuhiro

    We investigated the dissolution process of GaSb into InSb melt by numerical simulations using the finite volume method. In addition, the dissolution process was in-situ observed by the X-ray penetrati …

    Journal of Crystal Growth 324(1), 157-162, 2011-06-01

    機関リポジトリ DOI 被引用文献1件

  • Growth of Si1-xGex bulk crystals with highly homogeneous composition for thermoelectric applications

    Arivanandhan M. , Saito Y. , Koyama T. , Momose Y. , Ikeda H. , Tanaka A. , Tatsuoka T. , Aswal D.K. , Inatomi Y. , Hayakawa Yasuhiro

    Compositionally homogeneous Si0.52Ge0.48 bulk crystals were grown under a mild temperature gradient using a Si(seed)/Ge/Si(feed) sandwich structure for thermoelectric (TE) applications. The furnace te …

    Journal of Crystal Growth 318(1), 324-327, 2011-03-01

    機関リポジトリ DOI

  • 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果

    早川 泰弘 , アリバナンドハン ムカンナン , ラジェッシュ ゴビンダサミー [他] , 小山 忠信 , 百瀬 与志美 , 森井 久史 , 青木 徹 , 田中 昭 , 岡野 泰則 , 小澤 哲夫 , 稲富 裕光

    InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 110(29), 33-38, 2010-05-16

    参考文献19件

  • 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果

    早川 泰弘 , アリバナンドハン ムカンナン , ラジェッシュ ゴビンダサミー [他] , 小山 忠信 , 百瀬 与志美 , 森井 久史 , 青木 徹 , 田中 昭 , 岡野 泰則 , 小澤 哲夫 , 稲富 裕光

    InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(31), 33-38, 2010-05-06

    参考文献19件

  • 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果

    早川 泰弘 , アリバナンドハン ムカンナン , ラジェッシュ ゴビンダサミー [他] , 小山 忠信 , 百瀬 与志美 , 森井 久史 , 青木 徹 , 田中 昭 , 岡野 泰則 , 小澤 哲夫 , 稲富 裕光

    InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度 …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 110(30), 33-38, 2010-05-06

    参考文献19件

  • 微小重力環境下におけるInGaSb混晶成長実験のための予備的研究

    鈴木 那津輝 , 高木 洋平 , 岡野 泰則 , 早川 泰弘 , 田中 昭

    化学工学会 研究発表講演要旨集 2010f(0), 410-410, 2010

    J-STAGE DOI

  • 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験

    早川 泰弘 , RAJESH Govindasamy , ARIVANANDHAN Mukannan , 田中 昭 , 岡野 泰則 , 小澤 哲夫 , 稲富 裕光

    JASMA : Journal of the Japan Society of Microgravity Application 26(4), 363, 2009-10-19

    参考文献2件

  • Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子デバイス)

    Rajesh Govindasamy , Morii Hisashi , Aoki Toru [他] , KOYAMA Tadanobu , MOMOSE Yoshimi , TANAKA Akira , OZAWA Tetsuo , INATOMI Yuko , HAYAKAWA Yasuhiro

    We introduce a growth technique to grow homogeneous In_xGa_<1-x>Sb ternary bulk crystal and a method to measure the composition profiles in the InGaSb solution. In_xGa_<1-x>Sb bulk crystal …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(23), 43-47, 2009-05-07

    参考文献13件

  • Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (シリコン材料・デバイス)

    Rajesh Govindasamy , Morii Hisashi , Aoki Toru [他] , KOYAMA Tadanobu , MOMOSE Yoshimi , TANAKA Akira , OZAWA Tetsuo , INATOMI Yuko , HAYAKAWA Yasuhiro

    We introduce a growth technique to grow homogeneous In_xGa_<1-x>Sb ternary bulk crystal and a method to measure the composition profiles in the InGaSb solution. In_xGa_<1-x>Sb bulk crystal …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(25), 43-47, 2009-05-07

    参考文献13件

  • Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子部品・材料)

    Rajesh Govindasamy , Morii Hisashi , Aoki Toru [他] , KOYAMA Tadanobu , MOMOSE Yoshimi , TANAKA Akira , OZAWA Tetsuo , INATOMI Yuko , HAYAKAWA Yasuhiro

    We introduce a growth technique to grow homogeneous In_xGa_<1-x>Sb ternary bulk crystal and a method to measure the composition profiles in the InGaSb solution. In_xGa_<1-x>Sb bulk crystal …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(24), 43-47, 2009-05-07

    参考文献13件

  • 混晶半導体バルク結晶成長

    早川 泰弘

    JASMA : Journal of the Japan Society of Microgravity Application 26(2), 100-105, 2009-04-30

    参考文献18件

  • InAsSb三元混晶半導体結晶成長

    早川 泰弘

    日本赤外線学会誌 = Journal of the Japan Society of Infraed Science and Technolog 18(1), 4-10, 2008-12-30

    参考文献38件

  • 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場

    池田 浩也 , 立岡 浩一 , 早川 泰弘

    応用物理教育 32(2), 123-126, 2008-12-15

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