島 久 SHIMA Hisashi

ID:9000045427871

独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向

    , 澤 彰仁

    遷移金属酸化物を用いた抵抗変化メモリReRAM(Resistive Random Access Memory)は,メモリ動作の省電力性,CMOSプロセスとの高い親和性,スケーラビリティに優れたメモリ技術であり,次世代不揮発性メモリの有力候補である.本稿では,ReRAMの動作性能について技術開発の最新動向を紹介するとともに,実用化に必須なReRAMの信頼性向上や,メモリアレーの更なる高集積化に向けて …

    電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(11), 992-997, 2012-11-01

    参考文献25件

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