上田 哲三 UEDA Tetsuzo

ID:9000045429526

パナソニック株式会社デバイス社 Semiconductor Devices Development Center, Panasonic Corporation (2012年 CiNii収録論文より)

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  • GaNパワーデバイスの進展と展望

    上田 哲三

    パワーデバイスは民生及び産業機器の電力変換部分において幅広く用いられている.これまでは材料としてSi(シリコン)が用いられてきたが,その材料物性で決まる性能限界に近づいており,損失低減や高速化といった性能向上が限界に近づいている.GaN(窒化ガリウム)は高い電子移動度,絶縁破壊電界を有しており,高耐圧かつ大電流・低オン抵抗を実現できる将来のパワーデバイス材料として非常に有望である.本稿では,GaN …

    電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(11), 1009-1013, 2012-11-01

    参考文献5件

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