細井 卓治 HOSOI Takuji

ID:9000045429944

大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻 Graduate School of Engineering, Osaka University (2012年 CiNii収録論文より)

同姓同名の著者を検索

論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • High-k ゲートスタック技術の進展と最新動向

    渡部 平司 , 細井 卓治

    MOSFETの微細化に伴うゲート絶縁膜の薄層化が進み,従来のSiO_2系絶縁膜ではゲート漏れ電流の低減や電気膜厚の更なる薄層化が困難となってきた.高誘電率(High-k)絶縁膜はSiO_2よりも高い比誘電率を有し,MOS構造の絶縁膜として用いることで,トランジスタの消費電力低減と高性能化を同時に達成可能なキーテクノロジーである.既にHigh-k絶縁膜と金属電極を組み合わせたMetal/High-κ …

    電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(11), 960-964, 2012-11-01

    参考文献10件

ページトップへ