今泉 延弘 IMAIZUMI Nobuhiro

ID:9000045430578

(株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  3件中 1-3 を表示

  • バンプ最表面の微結晶化による低温Cu-Cuダイレクト接合技術

    酒井 泰治 , 今泉 延弘 , 宮島 豊生 [他] , 若菜 伸一 , 水越 正孝

    高密度・高速三次元積層デバイスで必要不可欠となる金属同士の固相拡散接続をCuバンプで実現するため,超精密切削による表面平たん化をコアとする低温接合技術を開発した.一般的に用いられている機械化学研磨(Chemical Mechanical Polishing ; CMP)で平たん化したバンプと異なり,切削加工の場合,最表層に約100〜200nm厚さの微結晶層が形成され,この微結晶層は低温で再結晶化し …

    電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 95(11), 287-295, 2012-11-01

    参考文献22件

  • Sn-Bi系はんだを用いたBGA接合部の耐衝撃性向上に及ぼすSb添加の効果

    岡本 圭史郎 , 今泉 延弘 , 赤松 俊也 [他]

    マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 21, 261-264, 2011-09-08

    被引用文献1件

  • 低環境負荷プロセスの実現に向けた低温接合技術の開発

    作山 誠樹 , 赤松 俊也 , 今泉 延弘 , 上西 啓介

    溶接学会全国大会講演概要 86, "F-22"-"F-29", 2010-03-29

    参考文献10件

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