竹内 健 TAKEUCHI Ken

ID:9000045431222

中央大学理工学部電気電子情報通信工学科 Faculty of Science and Engineering, Chuo University (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • 限界に挑戦するフラッシュメモリとSSDの最新動向

    竹内

    NAND形フラッシュメモリはディジタルカメラ・携帯電話・音楽プレーヤ等の携帯デバイスの記憶媒体として使用されている.更に,フラッシュメモリ・NANDコントローラ・DRAMで構成されるソリッドステートドライブ(SSD)として,パソコンやデータセンターのサーバなどのHDDを置き換え,消費電力が少なく地球環境に優しいITシステムを実現することが期待されている.フラッシュメモリは現在20nm技術により64 …

    電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(11), 979-985, 2012-11-01

    参考文献16件

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