高橋 成也 TAKAHASHI N.

ID:9000045700618

豊橋技術科学大学電気・電子工学系電子デバイス大講座 Electric & Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology (2002年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  4件中 1-4 を表示

  • Al_2O_3/Si構造を用いた共鳴トンネルデバイスの形成

    石田 誠 , 古字 芳明 , Shahjahan M. [他] , 高橋 成也 , 伊藤 了基 , 澤田 和明

    Si基板上に単結晶Al_2O_3絶縁膜を成長するエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行ってきた。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にSi極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、半 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 101(621), 59-64, 2002-01-22

    参考文献11件

  • Al_2O_3/Si構造を用いた共鳴トンネルデバイスの形成

    石田 誠 , 古字 芳明 , Shahjahan M. [他] , 高橋 成也 , 伊藤 了基 , 澤田 和明

    Si基板上に単結晶Al_2O_3絶縁膜を成長するエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行ってきた。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にSi極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、半 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 101(618), 59-64, 2002-01-22

    参考文献11件

  • エピタキシャルAl_2O_3/Si構造を用いたMOS型電子源の検討

    澤田 和明 , 星 智弘 , 古字 芳明 [他] , 金 璋燮 , SHAHJAHAN M. , 高橋 成也 , 石田 誠

    Al_2O_3絶縁膜に用いたエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行っている。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にAl, Si極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。この技術を用い絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 101(501), 27-32, 2001-12-14

    参考文献8件

  • エピタキシャルAl_2O_3/Si構造を用いたMOS型電子源の検討

    澤田 和明 , 星 智弘 , 古字 芳明 , 金 璋燮 , SHAHJAHAN M. , 高橋 成也 , 石田 誠

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(140), 27-32, 2001-12-14

    参考文献8件

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