宋 海智 SONG Haizhi

ID:9000045707469

筑波大学 物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba (2001年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  4件中 1-4 を表示

  • 横方向結合したIn_xGa_<1-x>As/GaAs(311)B量子ドットの金属-絶縁体遷移

    海智 , 赤羽 浩一 , 藍 勝 , 許 懐哲 , 岡田 至崇 , 川辺 光央

    本研究ではGaAs(311)B基板上における、In_xGa_<1-x>As自己組織化量子ドットにおける横方向光電流の測定を行なった。この試料において量子ドットは配列構造を持ち、サイズ分布が小さいため、量子ドットの横方向結合の形成が考えられる。この試料においては電場を印可した場合、金属-絶縁体遷移を示す負の微分コンダクタンス(NDC)が観測された。NDCが起こる前の金属的領域では、2次元 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 100(644), 57-62, 2001-02-22

    参考文献26件

  • 横方向結合したIn_xGa_<1-x>As/GaAs(311)B量子ドットの金属-絶縁体遷移

    海智 , 赤羽 浩一 , 藍 勝 [他] , 許 懐哲 , 岡田 至崇 , 川辺 光央

    本研究ではGaAs(311)B基板上における、In_xGa_<1-x>As自己組織化量子ドットにおける横方向光電流の測定を行なった。この試料において量子ドットは配列構造を持ち、サイズ分布が小さいため、量子ドットの横方向結合の形成が考えられる。この試料においては電場を印可した場合、金属-絶縁体遷移を示す負の微分コンダクタンス(NDC)が観測された。NDCが起こる前の金属的領域では、2次元 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 100(642), 57-62, 2001-02-22

    参考文献26件

  • 2次元電子ガスの移動度に対する量子ドットの横方向結合の影響

    海智 , 藍 勝 , 赤羽 浩一 [他] , 張 起連 , 岡田 至崇 , 川辺 光央

    我々はGaAs/Al_<0.3>Ga_<0.7>As2次元電子ガス(2DEG)をプローブとしてGaAs(311)B基板上のIn_<0.45>Ga_<0.65>As自己組織化量子ドット内の電荷の局在について研究を行なった。通常、近傍に量子ドットを挿入された2次元電子ガスはその移動度が低下する。しかしながら、量子ドットの密度が2×10^<11> …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 99(618), 15-20, 2000-02-10

    参考文献20件

  • 2次元電子ガスの移動度に対する量子ドットの横方向結合の影響

    海智 , 藍 勝 , 赤羽 浩一 [他] , 張 起連 , 岡田 至崇 , 川辺 光央

    我々はGaAs/Al_<0.3>Ga_<0.7>As 2次元電子ガス(2DEG)をプローブとしてGaAs(311)B基板上のIn_<0.45>Ga_<0.65>As自己組織化量子ドット内の電荷の局在について研究を行なった。通常、近傍に量子ドットを挿入された2次元電子ガスはその移動度が低下する。しかしながら、量子ドットの密度が2×10^<11&g …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 99(616), 15-20, 2000-02-10

    参考文献20件

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