小日向 恭祐 KOBINATA Kyousuke

ID:9000045819728

千葉大学理学研究科 Graduate Schol of Science, Chiba University (2013年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  4件中 1-4 を表示

  • Fe₃Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調 : 第一原理計算による理論的検討 (シリコン材料・デバイス)

    小日向 恭祐 , 中山 隆史

    第一原理計算を用いて、スピントロニクス材料としての応用が期待されているFe_3Si/Ge(111)の清浄界面における原子配置の安定性とショットキーバリア高さについて調べた。その結果、その結果、ショットキー障壁が実現している界面は、Ge-Fe結合が存在せずGe-Si結合のみが存在していることが分かった。Ge-Si結合のみが実現する場合、Ge(111)界面に最も近い層に来るのはFe原子となり、Si原子 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87), 39-42, 2013-06-18

  • 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討

    小日向 恭祐 , 中山 隆史

    半導体種としてSi及びGeを用いて、界面近傍の半導体側に原子空孔や格子間原子などの乱れを形成することで、金属/半導体界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、第一原理計算により調べた。その結果、原子空孔や格子間原子など点欠陥の乱れは界面近傍に発生しやすいこと、乱れにSiダングリングボンドが発生した際はバリアが上昇することなどを明らかにした。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92), 59-62, 2012-06-14

    参考文献9件

  • 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討

    小日向 恭祐 , 中山 隆史

    金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子などの乱れを形成することで、第一原理計算により調べた。その結果、原子空孔や格子間原子など点欠陥の乱れは界面近傍に発生しやすいこと、乱れが生じた際の金属準位(MIGS)の半導体への侵入長け界面から5-6層程度で清浄な界面と変わらないこと、原子空孔とAu置換原子によるSBHの変化は殆 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114), 69-73, 2011-06-27

    参考文献9件

  • 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討

    小日向 恭祐 , 丸田 勇亮 , 中山 隆史

    金属/Si界面に発生する偏析原子層の安定性とショットキーバリア変調の化学的傾向を、偏析原子種をII族からVII族までを変化させることで、第一原理計算により調べた。その結果、族が変化するとショットキーバリアは単調に変化すること、その原因はSiを終端する偏析原子の価電子数に関係すること、Siと電気陰性度が近い原子ほど偏析しやすいことを見出した。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90), 23-26, 2010-06-15

    参考文献5件

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