竹内 和歌奈 TAKEUCHI Wakana

論文一覧:  19件中 1-19 を表示

  • Ge₁-xSn[x]ゲートスタック構造における欠陥の物性評価 (シリコン材料・デバイス)

    金田 裕一 , 池 進一 , 兼松 正行 , 坂下 満男 , 竹内 和歌奈 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(101), 39-42, 2017-06-20

  • Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価 (シリコン材料・デバイス)

    金田 裕一 , 兼松 正行 , 坂下 満男 , 竹内 和歌奈 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(118), 37-41, 2016-06-29

  • 招待講演 Sn系Ⅳ族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (有機エレクトロニクス)

    志村 洋介 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 , 黒澤 昌志 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(2), 23-26, 2016-04-08

  • 招待講演 Sn系Ⅳ族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (シリコン材料・デバイス)

    志村 洋介 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 , 黒澤 昌志 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1), 23-26, 2016-04-08

  • 依頼講演 SiO₂/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 (シリコン材料・デバイス)

    竹内 和歌奈 , 山本 建策 , 坂下 満男 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(108), 27-30, 2015-06-19

  • 招待講演 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 : 直接遷移構造化を目指して (有機エレクトロニクス)

    黒澤 昌志 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(19), 35-37, 2015-04-29

  • 招待講演 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 : 直接遷移構造化を目指して (シリコン材料・デバイス)

    黒澤 昌志 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(18), 35-37, 2015-04-29

  • 依頼講演 絶縁膜上におけるⅣ族半導体多結晶薄膜の低温形成 : 低融点Snの活用 (シリコン材料・デバイス)

    黒澤 昌志 , 田岡 紀之 , 池上 浩 [他] , 池上 浩 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    積層型CMOS回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々はIV族多元半導体(GeSn,SiSn)に着目している.本報では,絶縁膜上におけるGeSn多結晶薄膜の低温結晶成長に関する最近のトピックス:(1)低融点Snを活用した結晶成長法,(2)水中レーザーアニール法について紹介する.

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 91-95, 2014-06-19

  • n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 (シリコン材料・デバイス)

    竹内 和歌奈 , 田岡 紀之 , 坂下 満男 [他] , 中塚 理 , 財満 鎭明

    Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy(DLTS)法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないE_v+0.19eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(58), 113-118, 2014-05-28

  • n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 (電子デバイス)

    竹内 和歌奈 , 田岡 紀之 , 坂下 満男 [他] , 中塚 理 , 財満 鎭明

    Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy(DLTS)法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないE_v+0.19eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56), 113-118, 2014-05-28

  • n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 (電子部品・材料)

    竹内 和歌奈 , 田岡 紀之 , 坂下 満男 [他] , 中塚 理 , 財満 鎭明

    Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy(DLTS)法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないE_v+0.19eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(57), 113-118, 2014-05-28

  • Al₂O₃/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)

    柴山 茂久 , 加藤 公彦 , 坂下 満男 [他] , 竹内 和歌奈 , 田岡 紀之 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    現在,Al_2O_3/Ge構造に対するプラズマ酸化で,極薄GeO_x界面層の形成により,低界面準位密度(D_<it>)が実現可能と報告されている.しかしながら,Al_2O_3/Ge構造に対する酸素処理による,界面反応,界面構造の変化,および界面特性との相関関係についての理解は不十分である.本研究では,Al_2O_3/Ge構造に対して熱酸化を行い,その界面反応機構および,界面構造と界面特 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87), 13-18, 2013-06-18

  • テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO₂膜の形成 (シリコン材料・デバイス)

    吉田 鉄兵 , 加藤 公彦 , 柴山 茂久 [他] , 坂下 満男 , 田岡 紀之 , 竹内 和歌奈 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,および均一な厚さのゲート絶縁膜の形成が必要である.GeO_2は,high-kゲート絶縁膜/Ge構造の界面層として期待されていることから、ALDによる極薄GeO_2膜形成を試みた。ALDプロセスにおいて、TEOGの加水分解による化学量論的な極薄GeO_2膜の形成に成功した。また、Ge …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87), 7-11, 2013-06-18

  • 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御 (シリコン材料・デバイス)

    加藤 公彦 , 坂下 満男 , 竹内 和歌奈 [他] , 田岡 紀之 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    Higher-kゲート絶縁膜として着目される六方晶Pr酸化膜の実現に向け,Pr酸化膜形成時のH_2O分圧(P_<H2O>)やPr酸化膜中へのSi拡散が,希土類元素であるPrの価数やPr酸化膜の結晶構造に与える影響を明らかにした.P_<H2O>の減少は,Pr酸化膜中におけるPrO_2(Pr^<4+>)相に対するPr_2O_3(Pr^<3+>)相割合の増 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87), 1-6, 2013-06-18

  • ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響

    加藤 公彦 , 坂下 満男 , 竹内 和歌奈 [他] , 田岡 紀之 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    本研究では,金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について,酸素化学ポテンシャル(μ_O)に基づいて詳細に評価した.還元性を有する金属膜形成はPr酸化膜を還元し,酸化膜中におけるPr^<3+>割合が増大する.ゲート金属の還元性はPr酸化膜/Ge界面構造にも影響を与え,Oと結合するGe(Ge酸化物もしくはPrGe酸化物)密度の減少を引き起こす.これ …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92), 37-42, 2012-06-14

    参考文献15件

  • Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

    柴山 茂久 , 加藤 公彦 , 坂下 満男 [他] , 竹内 和歌奈 , 田岡 紀之 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    高駆動力Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(D_<it>)かつ低SiO_2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構造を形成することが極めて重要である.現在,Al_2O_3/Ge構造に対するプラズマ酸素処理によって,極薄界面層においても低D_<it>を実現できると報告されている.しかしながら,Al_2O_3/Ge構造に対する酸素処理で,どのような構造が形成され,D …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92), 27-32, 2012-06-14

    参考文献14件

  • Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御

    加藤 公彦 , 坂下 満男 , 竹内 和歌奈 [他] , 中塚 理 , 財満 鎭明

    プラセオジム(Pr)酸化腹/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し,Prの価数が界面反応に与える影響を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法によるPr_3d_<5/2>およびO1sスペクトルの評価より,PrはPr酸化膜中の深さに応じて異なる価数を有することが見出された.Pr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造においては,界面近傍に金属的なP …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114), 57-62, 2011-06-27

    参考文献17件

  • Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

    柴山 茂久 , 加藤 公彦 , 坂下 満男 [他] , 竹内 和歌奈 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    次世代CMOSの実現に向けて,低い界面準位密度(<10^<11>cm^<-2>-ev^<-1>)と低SiO_2等価膜厚(1nm)とを同時に実現するHigh-kゲート絶縁膜/Ge構造が求められている.Al_2O_3は熱的に安定で,比較的高い比誘電率を有しており,界面層として有望な材料である.しかし,Al_2O_3/Ge構造において,低界面準位密度は実現できて …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114), 51-56, 2011-06-27

    参考文献12件

  • 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性

    古田 和也 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 [他] , 近藤 博基 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    本研究ではSi基板上にPr(EtCp)_3,トリメチルアルミニウム(TMA)およびH_2Oを用いた原子層堆積(ALD)法を用いてPrAlO(PAO)膜を形成し,その電気的特性を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法から,膜中に界面反応を引き起こしたSiが表面付近に偏析していることが分かり,Al導入によってそれが減少していることが分かった.このことは,Al導入によって界面反応が抑制されていることを …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90), 39-42, 2010-06-15

    参考文献6件

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