吉田 まほろ YOSHIDA Mahoro

ID:9000045820464

東京大学 The University of Tokyo (2010年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  3件中 1-3 を表示

  • Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題

    西村 知紀 , 李 忠賢 , 田畑 俊行 [他] , 王 盛凱 , 西道 典弘 , 吉田 まほろ , 長汐 晃輔 , 喜多 浩之 , 鳥海 明

    半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 74, 73-76, 2010-07-08

    参考文献13件

  • GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御

    喜多 浩之 , 王 盛凱 , 李 忠賢 [他] , 吉田 まほろ , 西村 知紀 , 長汐 晃輔 , 鳥海 明

    GeO_2/Ge界面からのGeOの脱離はGeゲートスタックの劣化の大幅な劣化の原因となる。本研究ではGeOが脱離する現象を解析し,その理解に基づくGeO_2の膜質とGeO_2/Ge界面の両方の制御を行った。GeOの脱離によるGeO_2膜質への影響は,サブギャップ領域での光吸収として現れる。これは酸素欠損性の欠陥形成に伴うものであり,熱処理中の酸素分圧によって制御可能であった。また低温での酸素アニー …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90), 55-60, 2010-06-15

    参考文献13件

  • Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上

    喜多 浩之 , 王 盛凱 , 李 忠賢 , 吉田 まほろ , 西村 知紀 , 長汐 晃輔 , 鳥海 明

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2010(36), 7-12, 2010-03-26

    参考文献14件

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