板谷 太郎 ITATANI Taro

ID:9000045821654

産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and technology (AIST) (2010年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • High-k/III-V 界面の組成・構造とMIS特性との関係

    安田 哲二 , 宮田 典幸 , 卜部 友二 [他] , 石井 裕之 , 板谷 太郎 , 前田 辰郎 , 山田 永 , 福原 昇 , 秦 雅彦 , 大竹 晃浩 , 星井 拓也 , 横山 正史 , 竹中 充 , 高木 信一

    ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理し …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90), 49-54, 2010-06-15

    参考文献23件

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