福原 昇 FUKUHARA Noboru

ID:9000045821657

住友化学 Sumitomo Chemical Co. Ltd. (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  5件中 1-5 を表示

  • 招待講演 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn[x]Ga[1-x]As MOSFETの移動度向上とその物理的理解 (シリコン材料・デバイス)

    金 相賢 , 横山 正史 , 田岡 紀之 [他] , 中根 了昌 , 安田 哲二 , 山田 永 , 福原 , 秦 雅彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    本研究ではMOS界面バッファ技術、ひずみチャネル技術の二種類の移動度向上技術を使ってInGaAs MOSFETを作製し、その電気特性、伝導特性を調べた。MOS界面バッファ層を有するInAs-OI MOSFETでは3180cm^2/Vsの高い移動度を実証し、In組成とMOS界面バッファによる移動度向上機構を調べた。さらに基板成長により、二軸引張りひずみを印加し、In組成53%のチャネルで2150cm …

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(422), 17-20, 2012-02-27

  • Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_<1-x>As MOSFETs

    金 相賢 , 横山 正史 , 田岡 紀之 [他] , 飯田 亮 , 李 成薫 , 中根 了昌 , 卜部 友二 , 宮田 典幸 , 安田 哲二 , 山田 永 , 福原 , 秦 雅彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    本研究ではNiとInGaAs基板の直接反応で形成されるNi-InGaAsがInGaAs MOSFETにおいてS/D材料として使えることを見出し、Ni-InGaAs合金層の評価を行った。Ni-InGaAsは25Ω/square程度の低いシート抵抗とn-InGaAs(伝導帯側)に対して比較的低いショツトキー障壁(SBH)を持っているが分かった。さらに基板のIn組成をコントロールすることで低いシート抵抗 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(406), 1-4, 2011-01-24

    参考文献10件

  • High-k/III-V 界面の組成・構造とMIS特性との関係

    安田 哲二 , 宮田 典幸 , 卜部 友二 [他] , 石井 裕之 , 板谷 太郎 , 前田 辰郎 , 山田 永 , 福原 , 秦 雅彦 , 大竹 晃浩 , 星井 拓也 , 横山 正史 , 竹中 充 , 高木 信一

    ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理し …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90), 49-54, 2010-06-15

    参考文献23件

  • MOCVD法による化合物半導体エピタキシャル成長(3)

    秦 雅彦 , 井上 孝行 , 福原 [他]

    住友化学 2008(1), 4-15, 2008-05

  • MOCVD法による化合物半導体エピタキシャル成長 (特集 電子・情報関連)

    秦 雅彦 , 笹島 裕一 , 福原 [他]

    住友化学 2000(1), 10-19, 2000-05

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