横山 正史 YOKOYAMA M.

ID:9000045821660

東京大学大学院電気系工学専攻 The University of Tokyo (2015年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  18件中 1-18 を表示

  • CI-2-5 異種材料接合によるポストシリコンデバイス技術(CI-2.異種材料融合デバイス技術の新展開-エピから貼り合わせまで,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

    高木 信一 , 横山 正史 , 金 相賢 , 西 康一 , 竹中 充

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2015年_エレクトロニクス(2), "SS-39"-"SS-40", 2015-08-25

  • 招待講演 ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

    金 閔洙 , 若林 勇希 , 中根 了昌 [他] , 横山 正史 , 竹中 充 , 高木 信一

    本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す.シリコンチャネルの引張りひずみが有効バンドギャップE_<g.eff>を減少させることにより、トンネル電流が増大することが見出された。また、窒素熱処理がゲート-チャネルMOS界面を改善することでSSが改善されることが示された。作製したゲルマニウムソース/ひずみシリコン(1.1%)ト …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(421), 9-12, 2015-01-27

  • Ⅲ-Ⅴ CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ (光エレクトロニクス)

    一宮 佑希 , 横山 正史 , 竹中 充 [他] , 高木 信一

    III-VCMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator(III-V-OI)基板を用いることで化合物半導体層への強い光閉じ込めを実現し、またレーザーなどのアクティブデバイスとパッシブデバイス、さらにはCMOS回路とのモノリシック集積も可能にするプラットフォームである。今回、III-V CMOSフォトニクスを用いてキャリア注入型マッハツェンダー干渉計InG …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(97), 39-42, 2014-06-20

  • Ⅲ-Ⅴ CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ (レーザ・量子エレクトロニクス)

    一宮 佑希 , 横山 正史 , 竹中 充 [他] , 高木 信一

    III-VCMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator(III-V-OI)基板を用いることで化合物半導体層への強い光閉じ込めを実現し、またレーザーなどのアクティブデバイスとパッシブデバイス、さらにはCMOS回路とのモノリシック集積も可能にするプラットフォームである。今回、III-V CMOSフォトニクスを用いてキャリア注入型マッハツェンダー干渉計InG …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(98), 39-42, 2014-06-20

  • 招待講演 強い短チャネル効果耐性と闇値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET (シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

    金 相賢 , 横山 正史 , 中根 了昌 [他] , 市川 摩 , 長田 剛規 , 秦 雅彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    本研究ではInAs-OI MOSFETにおいてTri-gateの導入が電気特性に与える影響について調べた。Tri-gateを導入したことにより比較的小さい移動度の低下で効率的に短チャネル効果を抑えることができた。チャネル長20nmのデバイスにおいてはS.S. 84 mV/dec, DIBL 22 mV/V, G_m 1.64 mS/μmを示す高い性能を達成した。さらにバックバイアスの印加により大幅 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420), 39-42, 2014-01-29

  • Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks (シリコン材料・デバイス)

    張 志宇 , 横山 正史 , 金 相賢 [他] , 市川 磨 , 長田 剛規 , 秦 雅彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al_2O_3/InGaAsとHfO_2/InGaAs上、AlとAuとPdをゲート電極としてそれぞれのMOSキャパシタを作製して、電気特性の評価を行った.電気特性評価の結果により、PdはAl_2O_3、HfO_2共にMOSキャパシタの容量を上げる効果があることが分かる.一方、Al_2O_3上ではAuおよびA …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87), 33-37, 2013-06-18

  • C-3-52 III-V CMOSフォトニクスを用いたInGaAsP細線導波路光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス)

    一宮 佑希 , 横山 正史 , 市川 磨 , 秦 雅彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013年_エレクトロニクス(1), 212, 2013-03-05

  • C-3-16 III-V CMOSフォトニクスプラットフォームと光インターコネクションへの展開(C-3.光エレクトロニクス)

    竹中 充 , 一宮 佑希 , キムサン ヒョン , 横山 正史 , 高木 信一

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013年_エレクトロニクス(1), 176, 2013-03-05

  • InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性

    高木 信一 , 田岡 紀之 , 鈴木 麗菜 [他] , 横山 正史 , 金 相賢 , 竹中 充

    表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 33(11), 628-633, 2012-11-10

    参考文献38件

  • C-4-18 高性能光電子集積回路に向けたIII-V CMOSフォトニクスプラットフォーム技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    竹中 充 , 一宮 佑希 , キム サンヒョン , 横山 正史 , 高木 信一

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2012年_エレクトロニクス(1), 228, 2012-08-28

  • 招待講演 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn[x]Ga[1-x]As MOSFETの移動度向上とその物理的理解 (シリコン材料・デバイス)

    金 相賢 , 横山 正史 , 田岡 紀之 [他] , 中根 了昌 , 安田 哲二 , 山田 永 , 福原 昇 , 秦 雅彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    本研究ではMOS界面バッファ技術、ひずみチャネル技術の二種類の移動度向上技術を使ってInGaAs MOSFETを作製し、その電気特性、伝導特性を調べた。MOS界面バッファ層を有するInAs-OI MOSFETでは3180cm^2/Vsの高い移動度を実証し、In組成とMOS界面バッファによる移動度向上機構を調べた。さらに基板成長により、二軸引張りひずみを印加し、In組成53%のチャネルで2150cm …

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(422), 17-20, 2012-02-27

  • 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_<1-x>As MOSFETの移動度向上とその物理的理解

    金 相賢 , 横山 正史 , 田岡 紀之 , 中根 了昌 , 安田 哲二 , 山田 永 , 福原 昇 , 秦雅 彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(422), 17-20, 2012-01-20

    参考文献8件

  • Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_<1-x>As MOSFETs

    金 相賢 , 横山 正史 , 田岡 紀之 [他] , 飯田 亮 , 李 成薫 , 中根 了昌 , 卜部 友二 , 宮田 典幸 , 安田 哲二 , 山田 永 , 福原 昇 , 秦 雅彦 , 竹中 充 , 高木 信一

    本研究ではNiとInGaAs基板の直接反応で形成されるNi-InGaAsがInGaAs MOSFETにおいてS/D材料として使えることを見出し、Ni-InGaAs合金層の評価を行った。Ni-InGaAsは25Ω/square程度の低いシート抵抗とn-InGaAs(伝導帯側)に対して比較的低いショツトキー障壁(SBH)を持っているが分かった。さらに基板のIn組成をコントロールすることで低いシート抵抗 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(406), 1-4, 2011-01-24

    参考文献10件

  • 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術

    竹中 充 , 横山 正史 , 杉山 正和 [他] , 中野 義昭 , 高木 信一

    III-V-on-Insulator (III-V-OI)構造を利用した超小型InP系光素子とIII-V CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォーム技術を提案する。熱酸化Si基板とInGaAsP/InP基板を直接接合することでIII-V-OI基板を実現することに成功した。このSi上III-V-OI基板を用いたInGaAsP細線導波路において …

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 110(181), 45-48, 2010-08-19

    参考文献13件

  • 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術

    竹中 充 , 横山 正史 , 杉山 正和 [他] , 中野 義昭 , 高木 信一

    III-V-on-Insulator (III-V-OI)構造を利用した超小型InP系光素子とIII-V CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォーム技術を提案する。熱酸化Si基板とInGaAsP/InP基板を直接接合することでIII-V-OI基板を実現することに成功した。このSi上III-V-OI基板を用いたInGaAsP細線導波路において …

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 110(180), 45-48, 2010-08-19

    参考文献13件

  • 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術

    竹中 充 , 横山 正史 , 杉山 正和 [他] , 中野 義昭 , 高木 信一

    III-V-on-Insulator (III-V-OI)構造を利用した超小型InP系光素子とIII-V CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォーム技術を提案する。熱酸化Si基板とInGaAsP/InP基板を直接接合することでIII-V-OI基板を実現することに成功した。このSi上III-V-OI基板を用いたInGaAsP細線導波路において …

    電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 110(178), 45-48, 2010-08-19

    参考文献13件

  • 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術

    竹中 充 , 横山 正史 , 杉山 正和 [他] , 中野 義昭 , 高木 信一

    III-V-on-Insulator (III-V-OI)構造を利用した超小型InP系光素子とIII-V CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォーム技術を提案する。熱酸化Si基板とInGaAsP/InP基板を直接接合することでIII-V-OI基板を実現することに成功した。このSi上III-V-OI基板を用いたInGaAsP細線導波路において …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 110(179), 45-48, 2010-08-19

    参考文献13件

  • High-k/III-V 界面の組成・構造とMIS特性との関係

    安田 哲二 , 宮田 典幸 , 卜部 友二 [他] , 石井 裕之 , 板谷 太郎 , 前田 辰郎 , 山田 永 , 福原 昇 , 秦 雅彦 , 大竹 晃浩 , 星井 拓也 , 横山 正史 , 竹中 充 , 高木 信一

    ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理し …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90), 49-54, 2010-06-15

    参考文献23件

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