金 容珍 KIM Yong Jin

ID:9000045821737

東京工業大学大学院・理工学研究科電子物理工学 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology (2002年 CiNii収録論文より)

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  • CPP構造スピントランジスタ素子の試作

    太田 正純 , 久保田 智史 , 容珍 , 中川 茂樹

    現在主流のCIP(Current In Plane)方式GMR膜ではMR比(磁気抵抗変化率)を20%以上に高めることが難しくなっているため、より高いMRが得られると期待されるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造を用いたスピントランジスタの作製を試みた。スピントランジスタの素子加工を行うためにフォトリソグラフィによるパターン形成の導入を行った。GMRベースとn- …

    映像情報メディア学会技術報告 26(80), 7-12, 2002-12-12

    参考文献8件

  • CPP構造スピントランジスタ素子の試作

    太田 正純 , 久保田 智史 , 容珍 [他] , 中川 茂樹

    現在主流のCIP(Current In Plane)方式GMR膜ではMR比(磁気抵抗変化率)を20%以上に高めることが難しくなっているため、より高いMRが得られると期待されるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造を用いたスピントランジスタの作製を試みた。スピントランジスタの素子加工を行うためにフォトリソグラフィによるパターン形成の導入を行った。GMRベースとn- …

    電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 102(500), 7-12, 2002-12-06

    参考文献8件

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