来山 大祐 KITAYAMA Daisuke

ID:9000045821810

東京工業大学フロンティア研究機構 Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology (2010年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討

    来山 大祐 , 小柳 友常 , 角嶋 邦之 [他] , AHMET Parhat , 筒井 一生 , 西山 彰 , 杉井 信之 , 名取 研二 , 服部 健雄 , 岩井 洋

    EOT=0.5nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO_2界面層が形成されないhigh-k/Si直接接合構造の実現が必須である。High-k材料のうち希土類酸化物はSi基板と直接接合が容易に達成できるため次世代high-k材料として期待されている。本研究では絶縁膜としてLa_2O_3/CeO_x積層構造を用いることで達成したhigh-k/Si直接接合の電気特性の評価結果を報告する。具体的に …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90), 43-48, 2010-06-15

    参考文献10件

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