森元 薫夫 MORIMOTO Masao

ID:9000046002164

ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation (2013年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  2件中 1-2 を表示

  • 依頼講演 デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減 (集積回路)

    前田 徳章 , 小松 成亘 , 森本 薫夫 [他] , 田中 浩二 , 塚本 康正 , 新居 浩二 , 島崎 靖久

    モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタンバイモードを選択することで待機時のリーク電流を半減できる。28nm CMOSで試作した32KbのSRAMにおいて、アクセスタイム420psと0.41μAのリーク電流を達成した。

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 113(1), 109-114, 2013-04-11

  • 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM

    小松 成亘 , 山岡 雅直 , 森元 薫夫 [他] , 前田 徳章 , 島崎 靖久 , 長田 健一

    微細化に伴うV_<th>ばらつきの増加によって、SRAMのアクセス遅延が増加し問題となっている。センスアンプ起動タイミングのばらつきを抑制することで、SRAMのアクセス遅延を削減できる。本研究では、センスアンプ起動タイミングのばらつきを抑制可能な直列レプリカビット線技術を開発した。この直列レプリカビット線技術を適用した288kbitのSRAMモジュールを40nmの加工プロセスを用いて作 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 110(9), 17-21, 2010-04-15

    参考文献4件

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