石川 亮佑 ISHIKAWA R.

ID:9000046247316

NEC エレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation (2008年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術

    白井 浩樹 , 石川 亮佑 , 伊藤 雄一 [他] , 北村 卓也 , 竹内 麻美 , 佐甲 隆 , 井上 顕 , 川崎 澄 , 勝木 信幸 , 星崎 博之 , 桑原 愼一 , 夏目 秀隆 , 坂尾 眞人 , 谷川 高穂

    コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代より低消費電力かつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換生が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入し …

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 108(6), 19-24, 2008-04-10

    参考文献4件

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