桑原 愼一 KUWABARA S.

ID:9000046247325

ルネサスエレクトロニクス生産本部 Production and Technology Unit, Renesas Electronics Corporation (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  2件中 1-2 を表示

  • Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス

    久米 一平 , 井上 尚也 , 肱岡 健一郎 [他] , 川原 潤 , 武田 晃一 , 古武 直也 , 白井 治樹 , 風間 賢也 , 桑原 愼一 , 渡會 雅敏 , 佐甲 隆 , 高橋 寿史 , 小倉 卓 , 泰地 稔二 , 笠間 佳子 , 坂本 美里 , 羽根 正巳 , 林 喜宏

    従来のeDRAMでは、MIとトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LSIの微細化に伴い、その高コンタクトに起因する寄生抵抗や寄生容量が大きくなり、ゲート遅延が増加しpure logicとのIP互換性の確保が困難になりつつある。そこで、シリンダ容量をM1〜M2層間に挿入し、コンタクト(CT)高さを低減するLogic-IP compatible(LIC …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(463), 7-11, 2012-02-27

    参考文献5件

  • コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術

    白井 浩樹 , 石川 亮佑 , 伊藤 雄一 [他] , 北村 卓也 , 竹内 麻美 , 佐甲 隆 , 井上 顕 , 川崎 澄 , 勝木 信幸 , 星崎 博之 , 桑原 愼一 , 夏目 秀隆 , 坂尾 眞人 , 谷川 高穂

    コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代より低消費電力かつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換生が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入し …

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 108(6), 19-24, 2008-04-10

    参考文献4件

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