米谷 和英 YONEYA Kazuhide

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  • A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology (集積回路)

    山下 竜二 , Magia Sagar , 樋口 勉 , 米谷 和英 , 山村 俊雄 , 水越 裕之 , 財津 真吾 , 山下 実 , 外山 俊一 , 釜江 典裕 , Lee Juan , Chen Shuo , Tao Jiawei , Mak William , Zhang Xiaohua , Yu Ying , 宇都宮 裕子 , 加藤 洋介 , 堺 学 , 松本 雅秀 , Chibvongodze Hardwell , 大熊 直樹 , 矢部 紘貴 , Taigor Subodh , Samineni Rangarao , 児玉 択洋 , 鎌田 義彦 , 生居 譲 , Huynh Jonathan , Wang Sung-En , He Yankang , Pham Trung , Saraf Vivek , Petkar Akshay , 渡邉 光恭 , 林 浩一郎 , Swarnkar Prashant , 三輪 仁 , Pradhan Aditya , Dey Sulagna , Dwibedy Debasish , Xavier Thushara , Balaga Muralikrishna , Agarwal Samiksha , Kulkarni Swaroop , Papasaheb Zameer , Deora Sahil , Hong Patrick , Wei Meiling , Balakrishnan Gopinath , 有木 卓弥 , Verma Kapil , Siau Chang , Dong Yingda , Lu Ching-Huang , 三輪 達 , Moogat Farookh

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(9), 45-50, 2017-04-20

  • 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発

    中村 大 , 神田 和重 , 小柳 勝 [他] , 山村 俊雄 , 細野 浩司 , 吉原 正浩 , 三輪 達 , 加藤 洋介 , MAK Alex , CHAN Siu Lung , TSAI Frank , CERNEA Raul , LE Binh , 牧野 英一 , 平 隆志 , 大竹 博之 , 梶村 則文 , 藤村 進 , 竹内 義昭 , 伊東 幹彦 , 白川 政信 , 鈴木 裕也 , 奥川 雄紀 , 奥川 雄紀 , 小島 正嗣 , 米谷 和英 , 有薗 尚倫 , 久田 俊記 , 宮本 晋示 , 野口 充宏 , 八重樫 利武 , 東谷 政昭 , 伊藤 文俊 , 亀井 輝彦 , 丸山 徹 , 丸山 徹 , 井納 和美 , 大島 成夫

    43nm CMOSテクノロジを用いた16ギガビット4値NANDフラッシュメモリを開発した.66NANDと新規コントロールゲートドライバー回路を用いた構成とし、アレー上にパワーバス配線を配することでチップサイズ120mm^2を実現し、micro SDカードへ実装可能とした.デュアルステージドライバーを用いることで1.8V VCCQで25nsのサイクルタイムを実現した.

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 108(6), 25-30, 2008-04-10

    参考文献4件 被引用文献10件

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