入野 仁 IRINO Hitoshi

ID:9000046272043

日本電気(株) デバイス評価技術研究所 Device Analysis Technology Laboratories, NEC Corporation (1999年 CiNii収録論文より)

同姓同名の著者を検索

論文一覧:  2件中 1-2 を表示

  • EMIシミュレーション用LSI電源モデルの検討

    入野 , 和深 裕 , 遠矢 弘和

    プリント基板電源層を流れる電流はLSI内部の全回路を流れる高周波電流をすべて含むためEMIの主要因となりうる。そのため適切なLSI電源系のモデルを用いてプリント基板の設計段階で高周波電流を見積もることが必要である。本稿では、抵抗値が時間によって変化する素子でLSI電源系をモデル化し、プリント基板電源配線を流れる電流の波形およびスペクトラムをシミュレーションした。また、シミュレーションにより求めた電 …

    映像情報メディア学会技術報告 00023(00024), 15-20, 1999-03-16

    参考文献10件 被引用文献2件

  • EMIシミュレーション用LSI電源モデルの検討

    入野 , 和深 裕 , 遠矢 弘和

    プリント基板電源層を流れる電流はLSI内部の全回路を流れる高周波電流をすべて含むためEMIの主要因となりうる。そのため適切なLSI電源系のモデルを用いてプリント基板の設計段階で高周波電流を見積もることが必要である。本稿では、抵抗値が時間によって変化する素子でLSI電源系をモデル化し、プリント基板電源配線を流れる電流の波形およびスペクトラムをシミュレーションした。また、シミュレーションにより求めた電 …

    電子情報通信学会技術研究報告. EMCJ, 環境電磁工学 98(661), 15-20, 1999-03-16

    参考文献10件

ページトップへ