橋本 将貴

ID:9000046313907

山形大学大学院理工学研究科 (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  3件中 1-3 を表示

  • 有機ゲートTFTを用いた多結晶Si粒界のキャリア輸送機構評価

    廣瀬 文彦 , 橋本 将貴 , 鹿又 健作 [他] , 籾山 克章

    多結晶太陽電池の発電効率の向上は、太陽電池発電システムの普及のための課題となっている。多結晶Siは、高密度の粒界を含み、そこでのキャリアの再結合が発電電流の抑制の原因になると考えられ、これまで少数キャリア寿命の評価を中心に材料処理法の検討がなされてきた。しかし、粒界では捕獲電荷が誘起するポテンシャル障壁によりキャリア移動が抑制されることがわかっており、これまで一粒界をまたぐキャリアの移動度の評価法 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(5), 1-4, 2012-04-11

    参考文献3件

  • 有機ゲート絶縁膜を用いたFETの試作とキャリア輸送特性評価

    橋本 将貴 , 鈴木 貴彦 , 廣瀬 文彦

    我々は多結晶Si中の粒界の電荷輸送への影響を調査するために、150℃以下でSiFETを低温形成し電気特性評価を行った。低温形成は多結晶Si中の金属不純物の熱拡散によるFET特性変化を防ぐために必須である。具体的には、ソースとドレインにショットキー接触を採用し、さらにゲート絶縁膜として有機材料であるポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いることで、形成温度150℃以下でFET特性を得るにいたった。 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 110(11), 61-65, 2010-04-15

    参考文献5件

  • 有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成

    橋本 将貴 , 鈴木 貴彦 , 成田 克 [他] , 廣瀬 文彦

    我々は多結晶Siに特有な粒界を横切る電荷の輸送機構を評価する為に、SiFETの製作プロセスの低温化に取り組んだ。具体的には、ソースとドレインにショットキー接触を採用し、さらにゲート絶縁膜には有機絶縁膜であるポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いることで、形成温度を100℃以下でFET特性を得るにいたった。本プロセスでLSIグレードの単結晶Si基板をもちいてFET試作を行った結果、チャネル移動度 …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(256), 9-11, 2009-10-22

    参考文献4件

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