吉田 達朗 YOSHIDA Tatsuro

ID:9000046313983

東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  3件中 1-3 を表示

  • シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術

    酒井 健 , 吉田 達朗 , 吉川 和博 [他] , 大見 忠弘

    3次元高集積化技術のなかで、シリコンウェーハの薄化技術が重要視されている。本論文では、ウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術について検討する。またSOIウェーハを用いた、新しいプロセスについて提案を行う。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(263), 41-45, 2012-10-18

    参考文献19件

  • 高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術

    吉川 和博 , 吉田 達朗 , 添田 一喜 [他] , 平塚 亮輔 , 大見 忠弘

    三次元実装積層は、半導体の新たな技術として開発が進められている。この三次元実装積層には貫通電極(TSV)形成が重要な技術となっている。本論分では、シリコンウェーハのアルカリによるウェットエッチングによる貫通電極形成技術の報告を行う。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(249), 97-100, 2011-10-13

    参考文献7件

  • 3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術

    吉川 和博 , 大橋 朋貢 , 吉田 達朗 [他] , 根本 剛直 , 大見 忠弘

    3次元チップ積層は、半導体の新たな技術として開発が進められている。この3次元チップ積層と貫通電極(TSV)には、シリコンウェーハの薄化が重要な技術となっている。本論文では、ウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術についての提案を行う。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(257), 15-19, 2009-10-22

    参考文献6件 被引用文献2件

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