中尾 幸久 NAKAO Yukihisa

ID:9000046318172

東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University (2013年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  8件中 1-8 を表示

  • 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード (シリコン材料・デバイス)

    幸田 安真 , 黒田 理人 , 中尾 幸久 [他] , 須川 成利

    紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波長帯 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(247), 21-25, 2013-10-17

  • 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 (シリコン材料・デバイス)

    黒田 理人 , 中尾 幸久 , 寺本 章伸 [他] , 須川 成利 , 大見 忠弘

    本稿では原子レベルで平坦化されたsi(100),(110),(551)表面の電子・ホールモビリティ特性についてまとめ,また,速度性能と最少加工寸法におけるロジックゲートのノイズマージンとを性能指標としたマルチゲートMOSFETのフィン構造の評価手法へ反映した結果を報告する.フィン高さとフィン上面幅との比が1.2から7.5の領域では,フィン側壁が(551)面,フィン上面が(100)面のフィン構造にお …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(247), 15-20, 2013-10-17

  • 【ポスター講演】オンチップ高透過積層膜を有する紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード

    幸田 安真 , 黒田 理人 , 中澤 泰希 [他] , 中尾 幸久 , 須川 成利

    紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波長帯 …

    映像情報メディア学会技術報告 37(22), 37-40, 2013-05-24

    参考文献12件

  • シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道

    大見 忠弘 , 中尾 幸久 , 黒田 理人 [他] , 諏訪 智之 , 田中 宏明 , 須川 成利

    完全に行き詰まったシリコンLSI技術を進歩させる方向の提案。すべての面方位のシリコン表面上にLSI製造できる技術を創出し、(551)面Accumulation Mode CMOSでnMOSとpMOSの寸法が等しいバランスドCMOSを具現化して、フルCMOSシステムLSIを実現する。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(263), 27-32, 2012-10-18

    参考文献10件

  • PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス

    中尾 幸久 , 寺本 章伸 , 黒田 理人 [他] , 諏訪 智之 , 田中 宏明 , 須川 成利 , 大見 忠弘

    近年Metal oxide semiconductor field effect transistors(MOSFETs)の高性能化のために、化学的・熱的に不安定な新規材料が研究・導入されている。これらの新規材料を用いてMOSFETを製造していくうえでドライ・ウェットプロセスから新規材料を保護するために必要不可欠である低温成膜可能な絶縁材料としてPlasma enhanced chemical v …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(263), 21-26, 2012-10-18

    参考文献11件

  • デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術

    黒田 理人 , 中尾 幸久 , 須川 成利 , 田中 宏明 , 寺本 章伸 , 宮本 直人 , 大見 忠弘

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2011(35), 5-10, 2011-03-01

    参考文献26件

  • ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成

    田中 宏明 , 黒田 理人 , 中尾 幸久 [他] , 寺本 章伸 , 須川 成利 , 大見 忠弘

    ULSIの基本構成要素であるトランジスタの性能を劣化させる直列抵抗を低減するため、ソース・ドレイン領域におけるシリサイド/高濃度領域間のコンタクト抵抗低減を行った。p^+、n^+領域それぞれにPd、Erを用いシリサイドを形成し、0.3eV程度の低バリアハイトのコンタクトを実現した。Si基板面方位により、シリサイドの成長段階が異なる事を明らかにした。このシリサイドを用い、プロセスを理論的に最適化する …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(241), 25-30, 2010-10-14

    参考文献14件

  • n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ

    中尾 幸久 , 黒田 理人 , 田中 宏明 [他] , 寺本 章伸 , 須川 成利 , 大見 忠弘

    MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリサイド/シリコンコンタクトを実現した。シリサイド形成のための金属材料としては電子、ホールに対するバリアハイトの低い仕事関数を有するEr、Pdをn^+、p^+-Siに対して選定した。シリサイド形成は大気にさらさず、メタル成膜前洗浄からアニール工程までN_2雰囲気で行った。さらに、低 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(257), 1-6, 2009-10-22

    参考文献10件

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