遠藤 恵介 ENDO Keisuke

ID:9000046318524

京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University (2010年 CiNii収録論文より)

同姓同名の著者を検索

論文一覧:  2件中 1-2 を表示

  • 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性

    後藤 康仁 , 遠藤 恵介 , 辻 博司 [他] , 石川 順三 , 酒井 滋樹

    三フッ化プラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシリコン基板の表面状態の分析を行なった。電子源の放出電流の経時変化を模擬するために、試料を真空中で加熱し、その際の表面状態の変化を調べた。表面状態の評価としては、X線光電子分光法による原子間結合状態の評価、ケルビンプローブによる仕事関数の評価を行なった。その結果、プラズマ処理の初期に表面 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 110(249), 7-10, 2010-10-18

    参考文献8件

  • 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性

    後藤 康仁 , 池田 啓太 , 宮田 雄高 [他] , 遠藤 恵介 , 辻 博司

    窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、三極管構成でその電子放出特性を調べた。ゲートを接地し、エミッタに負電圧を与え、コレクタに正電圧を与えた条件で、電流電圧特性を測定し、1,024-tipのアレイでは相互コンダクタンスとして2μS、コレクタ抵抗1GΩの値を得た。これらの値から電圧増幅率として最大2,000が得られる計算となる。実際にこの三極管構 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(230), 17-20, 2009-10-08

    参考文献11件

ページトップへ