彦坂 年輝 HIKOSAKA Toshiki

ID:9000300660578

名古屋大学工学研究科 Department of Electronics, Nagoya University (2005年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  4件中 1-4 を表示

  • (00l)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング

    彦坂 年輝 , 小出 典克 , 本田 善央 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 105(94), 69-74, 2005-05-27

  • (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝 , 小出 典克 , 本田 善央 [他] , 山口 雅史 , 澤木 宣彦

    (001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105(90), 69-74, 2005-05-20

    参考文献8件

  • (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝 , 小出 典克 , 本田 善央 [他] , 山口 雅史 , 澤木 宣彦

    (001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方 …

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 105(92), 69-74, 2005-05-20

    参考文献8件

  • (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝 , 小出 典克 , 本田 善央 , 山口 雅史 , 澤木 宣彦

    (001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(94), 69-74, 2005-05-20

    参考文献8件

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