石川 浩 ISHIKAWA Hiroshi

ID:9000300661593

早稲田大学理工学術院 Faculty of Science and Engineering, Waseda University (2014年 CiNii収録論文より)

同姓同名の著者を検索

論文一覧:  7件中 1-7 を表示

  • 超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    松本 敦 , 武井 勇樹 , 赤羽 一 [他] , 石川 , 松島 裕一 , 宇高 勝之

    光論理ゲート素子の実現に向け、歪補償技術を用いて量子ドット(QD)を20層積層した量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)を作製し、その基本的な特性を評価した。実験結果と解析結果の違いからピエゾ効果を仮定したところ、ピエゾ電界が生じていることを示唆する実験結果が得られたが、ピエゾ電界強度は予想よりも小さく25kV/cm程度であり、歪補償技術により抑制されていることがわかった。

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(283), 87-91, 2014-10-30

  • 超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 (光エレクトロニクス)

    松本 敦 , 武井 勇樹 , 赤羽 一 [他] , 石川 , 松島 裕一 , 宇高 勝之

    光論理ゲート素子の実現に向け、歪補償技術を用いて量子ドット(QD)を20層積層した量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)を作製し、その基本的な特性を評価した。実験結果と解析結果の違いからピエゾ効果を仮定したところ、ピエゾ電界が生じていることを示唆する実験結果が得られたが、ピエゾ電界強度は予想よりも小さく25kV/cm程度であり、歪補償技術により抑制されていることがわかった。

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(282), 87-91, 2014-10-30

  • 超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 (光通信システム)

    松本 敦 , 武井 勇樹 , 赤羽 一 [他] , 石川 , 松島 裕一 , 宇高 勝之

    光論理ゲート素子の実現に向け、歪補償技術を用いて量子ドット(QD)を20層積層した量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)を作製し、その基本的な特性を評価した。実験結果と解析結果の違いからピエゾ効果を仮定したところ、ピエゾ電界が生じていることを示唆する実験結果が得られたが、ピエゾ電界強度は予想よりも小さく25kV/cm程度であり、歪補償技術により抑制されていることがわかった。

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(281), 87-91, 2014-10-30

  • 全光論理ゲート素子に向けた多重積層量子ドットSOA及び組成拡散導波路の集積化の検討 (光エレクトロニクス)

    武井 勇樹 , 松本 敦 , 松下 明日香 [他] , 赤羽 一 , 松島 裕一 , 石川 , 宇高 勝之

    光論理ゲート素子に向け、量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)及び組成拡散導波路を用いた2重リング共振器(QDI-MRRs)型波長選択フィルタを作製し、その基本的な特性を評価した。波長1558nmの光をSOAに入射し、500mA程度の電流を注入した際、最大利得は約35dBが得られた。また組成拡散はICP-RIEによるエッチングと650℃の低温アニールにより行い、150nmのPLピークシフトを確認 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(97), 35-38, 2014-06-20

  • CNT含有シリコンスロット導波路の作製と非線形光学特性 (光エレクトロニクス)

    山田 佐代子 , 福田 晃士 , 桑江 博之 [他] , 水野 潤 , 高島 正 , 大野 翔太郎 , 松島 裕一 , 石川 , 宇高 勝之

    単層カーボンナノチューブ(carbon nanotube, CNT)は通信波長帯において非線形光学効果を有するため、次世代光通信へ応用する材料として注目されている.我々は、この材料を光デバイスへの応用に適した状態にするために分散・微細化処理を行い、高い光閉じ込め効果が得られるシリコンを用いたスロット導波路のスロット部に埋め込むことで、CNT含有シリコンスロット導波路を作製した.そして、その光学特性 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(97), 7-10, 2014-06-20

  • 全光論理ゲート素子に向けた多重積層量子ドットSOA及び組成拡散導波路の集積化の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    武井 勇樹 , 松本 敦 , 松下 明日香 [他] , 赤羽 一 , 松島 裕一 , 石川 , 宇高 勝之

    光論理ゲート素子に向け、量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)及び組成拡散導波路を用いた2重リング共振器(QDI-MRRs)型波長選択フィルタを作製し、その基本的な特性を評価した。波長1558nmの光をSOAに入射し、500mA程度の電流を注入した際、最大利得は約35dBが得られた。また組成拡散はICP-RIEによるエッチングと650℃の低温アニールにより行い、150nmのPLピークシフトを確認 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(98), 35-38, 2014-06-20

  • CNT含有シリコンスロット導波路の作製と非線形光学特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    山田 佐代子 , 福田 晃士 , 桑江 博之 [他] , 水野 潤 , 高島 正 , 大野 翔太郎 , 松島 裕一 , 石川 , 宇高 勝之

    単層カーボンナノチューブ(carbon nanotube, CNT)は通信波長帯において非線形光学効果を有するため、次世代光通信へ応用する材料として注目されている.我々は、この材料を光デバイスへの応用に適した状態にするために分散・微細化処理を行い、高い光閉じ込め効果が得られるシリコンを用いたスロット導波路のスロット部に埋め込むことで、CNT含有シリコンスロット導波路を作製した.そして、その光学特性 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(98), 7-10, 2014-06-20

ページトップへ