渡部 平司 WATANABE Heiji

ID:9000300662249

大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University (2014年 CiNii収録論文より)

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  • 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 (シリコン材料・デバイス)

    淺原 亮平 , 細井 卓治 , 志村 考功 [他] , 渡部 平司

    高性能Ge-MOSFET実現には、1nm以下のSiO_2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness: EOT)と良好な界面特性を両立したhigh-k/Geゲートスタックが必要である。しかし、その形成プロセスや熱処理に依存してGeO_x層の形成・分解や相互拡散が起こり、絶縁性および界面特性が劣化することから、high-k/Ge界面反応を抑制できる界面層の導入が求められる。本研究で …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 1-5, 2014-06-19

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