横井 淳 Yokoi Jun

ID:9000300662257

名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University (2014年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 (シリコン材料・デバイス)

    鈴木 陽洋 , 朝羽 俊介 , 横井 [他] , 黒澤 昌志 , 加藤 公彦 , 坂下 満男 , 田岡 紀之 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    我々はn-Ge(001)基板上へのSn、AlおよびAuの室温蒸着によってショットキーダイオードを作製し、その電流密度-電圧(J-V)特性から、ショットキー障壁高さ(SBH)を評価した。その結果、Sn、AlおよびAuのSBHはそれぞれ0.35 eV、0.55 eV、0.59 eVと見積もられ、Snのみが、金属の仕事関数から期待されるショットキー極限の値に近い、低いSBHを示した。また、それらの試料に …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 11-16, 2014-06-19

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