中山 隆史 NAKAYAMA Takashi

ID:9000300662265

千葉大学理学研究科 Graduate School of Science, Chiba University (2014年 CiNii収録論文より)

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  • 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性 : 第一原理計算による検討 (シリコン材料・デバイス)

    佐々木 奨悟 , 中山 隆史

    GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密度分布には不明な点が多い。そこで本研究では、第一原理計算を用いて、界面近傍での空孔密度について検討した。その結果、界面から10Å程度の領域ではMIGSとの混成が原因で空孔の形成エネルギーが小さくなり、空孔密度はバルク中より約6桁まで大きくなることがわかった。また、他の点欠陥につい …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 17-20, 2014-06-19

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