花房 宏明 HANAFUSA Hiroaki

ID:9000300662275

広島大学大学院先端物質科学研究科 Grad School of AsSM Hiroshima Univ. (2014年 CiNii収録論文より)

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  • Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 (シリコン材料・デバイス)

    浜田 慎也 , 村上 秀樹 , 小野 貫寛 [他] , 橋本 邦明 , 大田 晃生 , 花房 宏明 , 東 清一郎 , 宮崎 誠一

    Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100〜400℃に制御してAs^+イオン注入をした場合において、イオン注入時の基板温度のイオン注入時のアモルファス化度、600℃のポストアニール後の再結晶化度、Asの活性度に対する影響及びそれらの相関について調べた.As^+イオン注入時の基板温度が低いほど基板の自己加熱が抑えられるため、よりアモルファス化が促進されること …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 27-30, 2014-06-19

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