荒井 崇 ARAI Takashi

ID:9000300662283

名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University (2014年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  2件中 1-2 を表示

  • ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価 (シリコン材料・デバイス)

    大田 晃生 , 劉 冲 , 荒井 [他] , 竹内 大智 , 張 海 , 牧原 克典 , 宮崎 誠一

    導電性パスの存在が顕在化する局所領域で生じる電気抵抗変化現象を調べるために、金属薄膜へのリモート水素プラズマ(H_2-RP)支援によるナノドット形成技術を活用してNiナノドット/SiO_x/Niダイオードを作成し、電流-電圧(I-V)特性を調べた。電子線(EB)蒸着した厚さ10nmのSiO_x/Ni下部電極上に厚さ2nmのNi薄膜を堆積し、H_2-RP処理により平均高さ8.7nmおよび平均面積1. …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 69-73, 2014-06-19

  • Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性 (シリコン材料・デバイス)

    荒井 , 大田 晃生 , 牧原 克典 [他] , 宮崎 誠一

    Mnナノドットの埋め込みがSiO_x膜の抵抗変化特性に与える影響について調べた。Mnナノドットは、SiO_x(〜1nm)/Ni下部電極上に電子線蒸着したMn膜(〜2nm)に、外部非加熱でリモートH_2プラズマ処理を施すことで、高密度一括形成した。また、X線光電子分光(XPS)分析より、SiO_xへ埋め込んだMnナノドットは、表面酸化層で被覆された構造になっていることが確認された。Ni電極を用いたM …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 37-42, 2014-06-19

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