長汐 晃輔 Nagashio Kosuke

ID:9000300662308

東京大学 The University of Tokyo (2014年 CiNii収録論文より)

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  • 依頼講演 VO₂単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現 (シリコン材料・デバイス)

    矢嶋 赳彬 , 二宮 裕磨 , 西村 知紀 [他] , 長汐 晃輔 , 鳥海 明

    二酸化バナジウム(VO_2)は室温近傍で金属絶縁体転移を起こし、3ケタ以上の抵抗率の変化を示す。この転移は一次相転移であるため、極めて急峻な抵抗変化が期待でき、高感度センサや低電圧スイッチング素子への応用が考えられる。しかし現実には、金属相と絶縁相とで結晶構造がわずかに変化するため、転移の際に転移応力が発生し、それによって転移の急峻性が失われたり結晶が破断したりする。本研究では、VO_2を極薄膜化 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 65-67, 2014-06-19

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