谷本 優輔 TANIMOTO Yusuke

ID:9000300662322

日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University (2014年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • 依頼講演 抵抗変化メモリにおけるナノ空間を利用した導電性フィラメント形成制御とスイッチング特性の改善 (シリコン材料・デバイス)

    高瀬 浩一 , 谷本 優輔 , 大塚 慎太郎 [他] , 清水 智弘 , 新宮原 正三

    絶縁体を2枚の金属電極で挟んだ単純な構造で,小型かつ大容量,高速応答性を有する次世代メモリの抵抗変化メモリでは,しばしば,スイッチング電圧に大きなばらつきが見られる.これは,フィラメントモデルに基づくと絶縁破壊時に絶縁体内部に作られる電気抵抗の異なる導電性フィラメントの断裂と接続がいろいろなフィラメントで起きるためであると考えられる.そこで,我々は,(1)多種多様な導電性のフィラメントの生成を抑制 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 79-84, 2014-06-19

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