東田 賢二 HIGASHIDA Kenji

ID:9000303989110

九州大学 Dept. of Materials Science and Engineering, Kyushu University (2013年 CiNii収録論文より)

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  • OS1219 HVEM-TOMOGRAPHYによる亀裂先端転位増殖機構の解明

    田中 將己 , 田中 大樹 , 定松 直 , 東田 賢二

    The multiplication process of crack tip dislocations was investigated using a high-voltage electron microscope. (001) single crystalline silicon was employed. <110> cracks were introduced using …

    M&M材料力学カンファレンス 2013, "OS1219-1"-"OS1219-2", 2013-10-12

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