藤井 俊輝 FUJII Toshiki

ID:9000304001501

慶應義塾大学大学院 (2012年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • OS1906 ナノ構造体を形成した層間絶縁膜の機械的特性の評価

    前野 良太 , 藤井 俊輝 , 大宮 正毅

    Semiconductor devices are getting smaller and smaller, which lead to some problems such as cross-talk and signal delay. Therefore, the low-dielectric insulating layer is necessary for semiconductor de …

    M&M材料力学カンファレンス 2012, "OS1906-1"-"OS1906-2", 2012-09-22

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