飯島 良介 IIJIMA Ryosuke

ID:9000304162074

東芝 Toshiba Corporation (2006年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  10件中 1-10 を表示

  • アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度

    鎌田 善己 , 井野 恒弘 , 上牟田 雄一 , 飯島 良介 , 小山 正人 , 西山 彰

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006(1), 25-29, 2006-06-28

    参考文献16件

  • 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術

    高柳 万里子 , 渡辺 健 , 飯島 良介 [他] , 小山 正人 , 小池 正浩 , 井野 恒洋 , 上牟田 雄一 , 関根 克行 , 江口 和弘 , 西山 彰 , 石丸 一成

    HfSiONゲート絶縁膜をサブ100nm世代のCMOSFETに適用する場合の現状と課題をまとめた。プロセスインテグレーションやMOSFETパラメータの多くが、HfSiONを用いることで影響を受けることを明らかにする。特にHf濃度が高濃度なHfSiONほどその影響が大きく、HfSiONをゲート絶縁膜に用いる場合には、HfSiONの性質を考慮したプロセスインテグレーション/デバイスの再設計が不可避であ …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(541), 25-28, 2006-01-13

    参考文献12件

  • Mixed Signal CMOS 用HfSiONゲート絶縁膜の最適化

    小島 健嗣 , 飯島 良介 , 大黒 達也 [他] , 渡辺 健 , 高柳 万里子 , 百瀬 寿代 , 石丸 一成 , 石内 秀美

    Mixed Signal CMOSに最適なHfSiONゲート絶縁膜の検討を行った。最適化によりVthマッチング及びflicker noise特性がITRS hp65nm nodeを満たすことができることが判った。

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 105(235), 25-29, 2005-08-12

    参考文献5件

  • HfSiONその高耐熱性に基づく high-k ゲート絶縁膜としての期待と残された課題

    西山 彰 , 小山 正人 , 上牟田 雄一 [他] , 小池 正浩 , 飯島 良介 , 山口 豪 , 鈴木 正道 , 井野 恒洋 , 小野 瑞城

    MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わる新しい材料の選択を要求している。近年進められてきた高誘電体絶縁膜(high-k)の研究は、まず当面の実用化材料としてHf系材料の選択に収束しつつあるように思われる。本稿ではHf系絶縁膜特に窒化Hfシリケートに焦点をあてて、その有用性を主に耐熱性の観点から詳述する。また、残された …

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 105(235), 19-24, 2005-08-12

    参考文献30件

  • Mixed Signal CMOS 用HfSiONゲート絶縁膜の最適化

    小島 健嗣 , 飯島 良介 , 大黒 達也 [他] , 渡辺 健 , 高柳 万里子 , 百瀬 寿代 , 石丸 一成 , 石内 秀美

    Mixed Signal CMOSに最適なHfSiONゲート絶縁膜の検討を行った。最適化によりVthマッチング及びflicker noise特性がITRS hp65nm nodeを満たすことができることが判った。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(233), 25-29, 2005-08-12

    参考文献5件

  • HfSiON : その高耐熱性に基づく high-k ゲート絶縁膜としての期待と残された課題

    西山 彰 , 小山 正人 , 上牟田 雄一 [他] , 小池 正浩 , 飯島 良介 , 山口 豪 , 鈴木 正道 , 井野 恒洋 , 小野 瑞城

    MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わる新しい材料の選択を要求している。近年進められてきた高誘電体絶縁膜(high-k)の研究は、まず当面の実用化材料としてHf系材料の選択に収束しつつあるように思われる。本稿ではHf系絶縁膜特に窒化Hfシリケートに焦点をあてて、その有用性を主に耐熱性の観点から詳述する。また、残された …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(233), 19-24, 2005-08-12

    参考文献30件

  • HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

    山口 豪 , 平野 泉 , 飯島 良介 [他] , 関根 克行 , 高柳 万里子 , 江口 和弘 , 三谷 祐一郎 , 福島 伸

    HfSiONゲート絶縁膜の経時絶縁破壊(TDDB)寿命について、温度依存性とストレス電界依存性を詳細に調べた。その結果、HfSiONにおいては、アノードホールモデルの基礎となる破壊までの注入ホール総量一定という挙動は観測されなかった。一方、HfSiONの寿命はストレス電界に対して明瞭な線形性を示し、熱活性型(熱化学型)破壊モデルで破壊挙動をよく記述できることがわかった。特に高温領域では、破壊の電界 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(109), 81-86, 2005-06-03

    参考文献10件

  • HfSiONゲート絶縁膜のヒステリシスに寄与するトラップの解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

    長友 浩二 , 高柳 万里子 , 渡辺 健 [他] , 飯島 良介 , 石丸 一成 , 石内 秀美

    HfSiON膜中の欠陥準位を評価することを目的に、その第一段階としてCVヒステリシスとキャリア注入量との相関について調査した。polySi電極をn型、p型に作り分けたHfSiON-MOSFETを作成して評価を行った。結果、電子の注入量がホールの注入量に比べて十分に多い場合は電子のトラップによる正のヒステリシスが支配的となり、ホールの注入量が電子の注入量とほぼ同程度の場合にはホールのトラップによる負 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(109), 69-73, 2005-06-03

    参考文献7件

  • 65nm ノード世代に向けたHigh-kグート絶縁膜(HfsioN)のCMOSFET設計

    渡辺 健 , 高柳 万里子 , 飯島 良介 [他] , 石丸 一成 , 綱島 祥隆 , 石内 秀美

    ゲート絶縁膜にHfSiONを適用したsub-100nm CMOSFETを試作し、高い駆動電流を得るためのHf濃度の指針を示した。微細なMOSFETであるはどSiO_2に比べて駆動電流が劣化するが、Hf濃度を低くすることで高い駆動電流が得られる。しかし、ゲートリーク電流を低減するにはHf濃度を高くする必要があるため'許容されるゲートリーク電流の範囲でHf濃度を低くすることが求められる。ゲート長50n …

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 103(262), 69-74, 2003-08-22

    参考文献5件

  • 65nm ノード世代に向けた High-k ゲート絶縁膜(HfSiON)の CMOSFET 設計

    渡辺 健 , 高柳 万里子 , 飯島 良介 [他] , 石丸 一成 , 綱島 祥隆 , 石内 秀美

    ゲート絶縁膜にHfSiONを適用したsub-100nm CMOSFETを試作し、高い駆動電流を得るためのHf濃度の指針を示した。微細なMOSFETであるはどSiO_2に比べて駆動電流が劣化するが、Hf濃度を低くすることで高い駆動電流が得られる。しかし、ゲートリーク電流を低減するにはHf濃度を高くする必要があるため'許容されるゲートリーク電流の範囲でHf濃度を低くすることが求められる。ゲート長50n …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103(260), 69-74, 2003-08-15

    参考文献5件

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