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松尾 直人, 山本 暁徳, 北門 良隆 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 86 (12), 1370-1371, 2003-12-01

...シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)による論理回路により,多値論理回路の可能性を検討した.CMOSのインバータ回路におけるN-MOSFETを二つのN-SRTOMOSの並列回路に置き換えた.出カ特性は高電位低電位のほかに二つのプラトーな領域が現れた.この結果はSRTMOSTを使った論理回路により,多値論理回路を実現できることを示すものである....

参考文献7件

野崎 崇裕, 高見 義則, 松尾 直人, 浜田 弘喜 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2001 (2), 55-, 2001-08-29

松尾 直人, 北川 康範, 高見 義則, 浜田 弘喜 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス 84 (4), 326-327, 2001-04-01

...Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(Si resonant tunneling MOS transistor: SRTMOST)のゲート長をナノメートル範囲において小さくした場合の動作電流とゲート無印加状態での価電子帯のトンネル電流を計算した.この結果をもとに, ダブルバリヤ/Si界面の障壁高さの値を検討した....

参考文献6件

三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (445), 45-51, 1998-12-10

p-Si(100)に形成された2.7〜3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。そこで、更に、逆方向DT電流…

参考文献5件

松尾 直人, 三浦 隆司, 浦上 有紀, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (446), 41-47, 1997-12-12

...極薄誘電体膜の直接トンネリング(DT:direct tunneling)に関し、SimmonsがMIM(metal-insulator-metal)構造に対し、透過率のWKB近似、自由電子ガスモデルより求めた関数を基に、小さいフェルミエネルギーをもつ電極材料について、DT電流の理論検討を行う。...

参考文献5件

松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

...を反映し小さな値を示す.又,電界集中により共鳴トンネリングも活性化されると考えられる....

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松尾 直人, 藤原 裕章, 三好 正毅, 小柳 剛 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

...この現象を、隣接するグレイン間に形成されるプレート電極エッジ部分において電界集中を生じ、それが直接トンネリングを誘起すると仮定して理論解析をした。更に、キャパシター内のプレート電極エッジの曲率半径に正規分布を仮定して、漏洩電流を計算し、実測値と比較・検討を行った。...

参考文献16件