三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
98
(445),
45-51,
1998-12-10
p-Si(100)に形成された2.7〜3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。そこで、更に、逆方向DT電流…
参考文献5件