羽田野 剛司, 野村 明弘, 吉田 昌義, 中島 安理, 芝原 健太郎, 横田 新
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
98
(30),
15-19,
1998-04-23
...我々はこのトランジスタの室温での電気伝導特性の計算を行ない、トランジスタの室温動作の可能性を検討した。その結果、障壁が形成され、その障壁を流れるトンネル電流においてクーロンブロッケードによる電流の抑制効果が現れたが、その大きさが熱励起電流より小さかった。熱励起電流をトンネル電流より小さくするためには、基板濃度を高くすることが有効であることがわかった。...
参考文献8件