中島 安理, 二木 俊郎, 中尾 宏, 臼杵 達也, 堀口 直人, 横山 直樹
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
98
(30),
9-14,
1998-04-23
...低エネルギーイオン注入法を用いて、均一なサイズと深さ方向の位置を持つSn及びSbナノクリスタルをSi基板上の極薄熱酸化膜中に作製した。低エネルギーイオン注入により一定の深さのみに一定のドーズ量を実現できた事と遷移領域近傍の歪の影響が、形成された金属ナノクリスタルのサイズと位置の均一性に寄与していると考えられる。...
参考文献5件