検索結果を絞り込む
土屋 敏章 応用物理 78 (9), 868-872, 2009-09-10
...Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors）における Random Telegraph Signal と 1/f 雑音およびチャージポンピング（CP）特性の物理的背景について概説し，ナノスケール MOSFET における界面物性揺らぎに関する著者らの最近の研究を紹介する．デバイス特性への界面物性揺らぎの影響を把握するためには，バンドギャップ内に存在する全トラップの電気的振る舞いを知る必要...
DOI Web Site 参考文献25件
土屋 敏章 日本信頼性学会誌 信頼性 23 (2), 229-241, 2001
...で理解しなければならないもっとも重要な現象である基板浮遊効果について詳しく述べている.次に, MOSデバイスとして重要課題である短チャネル効果とホットキャリア信頼性について述べている.これらのいずれにおいても, 薄膜SOI MOSFET特有の現象が存在することを示し, そのメカニズムについて述べている.さらに, SOI CMOSデバイスのスケーリングの課題と今後の展望についても述べ, 新材料導入の必要性...
DOI Web Site
土屋 敏章, 大野 晃計, 田沢 聰, 富沢 雅彰 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (63), 53-59, 1996-05-23
...ボディコンタクトを必要としない完全空乏型MOSFET/SIMOXは、特に、クォータミクロン世代以後の低エネルギー高性能LSI実現に向けて極めて魅力的である。しかし、完全空乏型デバイスを実用化するには、基板浮遊効果の一つである寄生バイポーラ効果を抑制することが必須である。...
参考文献9件
安田 禎之, 大友 祐輔, 井野 正行, 門 勇一, 土屋 敏章 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 95 (72), 23-30, 1995-05-26
...消費電力の削減と待機状態保持の必要からCMOSスタティック型を前提として、MUX/DEMUX回路の高速化を検討した。F/Fは、内部の平均負荷容量が小さく、相補出力信号の位相が揃う特徴をもつダブルレール型とし、高速化に適した2:1セレクタ型MUX、1/2分周型DEMUX回路を設計した。...
被引用文献4件 参考文献5件
門 勇一, 大野 晃計, 土屋 敏章 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1995 (2), 151-, 1995-03-27
...一方、フローティングボディ効果については、特にそのダイナミック特性の観点から現象のメカニズムを解析する必要性が問われている。我々はボディコンタクトが無い状態で完全空乏型素子が部分空乏型素子に比べ安定なダイナミック特性を示す事を報告している。...